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p阱CMOS芯片制作工艺设计 目录 一．设计参数要求 2 二． 设计内容 3 1：PMOS管的器件特性参数设计计算。 3 2：NMOS管参数设计与计算。 4 3： p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案； 5 工艺流程 5 4．光刻工艺及流程图(典型接触式曝光工艺流程为例) 10 5： 薄膜加工工艺参数计算； 12 工艺计算 12 ② 工艺计算 13 ③ 工艺计算 13 三：工艺实施方案 14 四、参考资料 18 五：心得体会 19 一．设计参数要求 1. 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥25V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn=600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS=≥25V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp=220cm2/V·s） 2. 结构参数参考值： N型硅衬底的电阻率为20((cm；垫氧化层厚度约为600 ?；氮化硅膜厚约为1000 ?； P阱掺杂