空位缺陷对单层MoS2 电子结构的影响 - 西北有色金属研究院.PDF

第44 卷 第3 期 稀有金属材料与工程 Vol.44, No.3 2015 年 3 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING March 2015 空位缺陷对单层MoS2 电子结构的影响 1 1 1 1 1 2 雷天民 ，吴胜宝 ，张玉明 ，刘佳佳, 姜海青 ，张志勇 ( 1. 西安电子科技大学，陕西 西安 710071) (2. 西北大学，陕西 西安 710069) 摘 要：为了研究单层MoS2 中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响，基于密度泛函理论框架下的第一性原理，采用 平面波赝势方法分别计算了单层MoS2 中Mo 空位和S 空位的形成能、空位附近的晶格畸变、MoS2 层中的电子分布以及态 密度(DOS)和能带结构。计算结果显示，2 种空位缺陷都具有点缺陷特征，其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点， 且 S 空位比Mo 空位更容易形成。通过与本征态MoS2 电子结构的对比分析，发现2 种空位缺陷的存在对单层MoS2 的电 子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响，这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。 关键词：第一性原理；MoS ；空位；电子结构 2 + + 中图法分类号：O472 .3 ；O471.5 ；O614.61 2 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2015)03-0608-04 近年来，随着半导体器件的几何尺寸和集成电路的 论框架下的第一性原理，采用平面波赝势方法对含有 [1-3] [4-7] 特征线宽愈来愈小，石墨烯 、MoS2 等具有二维 空位缺陷的单层MoS2 的基本物性进行了计算分析。 层状结构的材料倍受人们的广泛关注，已经成为全球 1 模型与计算 材料相关领域的研究热点之一。虽然石墨烯材料具有 很多的优良特性，但其固有的“零带隙”特点使其在 文中计算基于单层MoS2 6 ×6 ×1 超胞模型，该模 半导体器件或集成电路领域中的应用受到限制。与石 型由 36 个 Mo 原子和 72 个 S 原子构成，通过 MoS2 墨烯相比，曾被广泛用作机械润滑材料的MoS2 [8- 11]本 单胞沿基矢方向A 、B 分别扩展 6 个单位得到。为了 身是一种天然的半导体，无论是体材料还是单层或多 形成空位缺陷并考虑到所建模型的对称性，分别去除 层薄层材料，它都具有禁带，且当 MoS2 由体材料减 了超胞模型中1 个Mo 原子或2 个 S 原子从而得到含 薄到单层，其禁带宽度会由 1.29 eV 增加到 1.80 eV ， 有空位缺陷的超胞模型。为减小层间相互作用、真实 能带结构也由间接带隙转变为直接带隙。意味着通过 反映单层MoS2 的固有属性，将层间真空层设定为 1.5 层数的选择，有可能调整 MoS2 的