薄膜电致发光器件中电子的谷间分布3.PDF

　第 20 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 20, . 8 V o l N o 　1999 年 8 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug. , 1999 薄膜电致发光器件中电子的谷间分布 赵　辉　王永生　徐　征　徐叙　 (北方交通大学光电子技术研究所　北京　100044) 摘要　基于对谷间散射过程的讨论, 利用M onte Carlo 方法研究了 ZnS 型薄膜电致发光器件中 电子的谷间分布. 得出了谷间分布的瞬态过程、不同电场下的谷间分布. 这些结果可作为研究电 致发光过程的基本数据. 同时, 本文提出了高能谷的能量存储效应. PACC: 7860, 7220 1　引言 薄膜电致发光显示技术是很有发展前途的平板显示技术之一. 以 ∶ 为发光层 ZnS M n 的单色的薄膜电致发光器件(T FELD ) 已发展成熟并已实现商业化. 目前, T FELD 的研究重 点是蓝光亮度的提高, 从而实现彩色及至全色 T FELD. 电致发光(EL ) 是利用高场加速电 子, 使其碰撞激发发光中心从而实现发光的物理过程. 电子在高场下的输运是EL 的基本物 ( ) 理过程, 它决定着电子能否达到引起发光中心激发 或离化 的能量, 是 EL 过程的关键. 在 输运过程中, 电子会被各种散射机制散射, 从而影响着电子加速的效果. ZnS 具有多能谷的 ( ) [ 1 ] 能带结构, 谷间散射 电子在不同能谷之间的转移 对电子加速过程有较大影响 . 同时, 谷 间散射伴随着电子动能和势能的转化, 这将影响到电子的动能分布, 从而影响 EL 过程. 不 同能谷中的电子具有不同的物理性质, 电子在各能谷间的分布会对EL 过程产生较大的影 响. 关于 T FELD 中电子的谷间分布, 未见报道. 本文对 ZnS 型 T FELD 中电子的谷间分布 进行了研究. 2　理论分析 的导带具有3 个能谷, 分别为 能谷、 能谷和 能谷. 采用非抛物多能谷模型, 其 ZnS L X 谷间散射速率为[ 2 ] 2 ( ) 32 N q D ifZ f m j S (E ) = ( 1 + 2a iE ) E ( 1 + a iE ) 2 h 2E p honon N q+ 1 ( 3 ) 式中　 为谷间形变势; 为等价谷数目; 为质