功率放大电路的安全运行.pptVIP

 §9.3 功率放大电路的安全运行 在功率放大电路中，功放管既要流过大电流，又要承受高电压。只有功放管不超过其极限值，电路才能正常工作。因此，所谓功率放大电路的安全运行，实际上就是要保证功放管的安全工作。在实用电路中，常加保护措施，以防止功放管过电压、过电流和过功耗。 一、功放管的二次击穿 1、二次击穿现象 在实际工作中，常发现功率晶体管的功耗并未超过允许的PCM值，管身也并不烫，但功率晶体管却突然失效或者性能显著下降。这种损坏的的原因，不少是由于二次击穿所造成的。那么什么叫二次击穿呢？它产生的原因又是什么呢？应当如何防止呢？这些问题很值得研究和讨论。 从晶体管的输出特性可知，对于某一条输出特性曲线，当c~e之间电压增大到一定数值时，晶体管将产生击穿现象；而且，IB愈大，击穿电压愈低，称这种击穿为“一次击穿”。 晶体管在一次击穿后，集电极电流会骤然增大，若不加以限制，则晶体管的工作点变化到临界点A时，工作点将以毫秒甚至微秒级的高速度从A点到B点，此时电流猛增，而管压降却减小，如下图所示，称为“二次击穿”。晶体管经过二次击穿后，性能将明显下降，甚至造成永久性损坏。 IB不同时二次击穿的临界点不同，将它们连接起来，便得到二次击穿临界曲线，简称为 S／B曲线，如下图所示。 2、二次击穿是怎样产生的 产生二次击穿的原因至今尚不清楚。一般说来，二次击穿是一种与电流、电压、功率和结温都有关系的效应。它的物理过程多数人认为是由于流过晶体管结面的电流不均匀，造成结面局部高温（称为热斑），因而产生热击穿所致。这与晶体管的制造工艺有关。 3、如何防止二次击穿 晶体管的二次击穿特性对功率管，特别是外延型功率管，在运用性能的恶化和损坏方面起着重要影响。为了保证功率管安全工作，必须考虑二次击穿的因素。因此，功率管的安全工作区，不仅受集电极允许的最大电流ICM、集电极允许的最大电压V（BR）CE和集电极允许的最大功耗PCM所限制，而且还受二次击穿临界曲线所限制，其安全工作区如下图虚线内所示。显然，考虑了二次击穿以后，功率晶体管的安全工作范围变小了。 从二次击穿产生的过程可知，防止晶体管的一次击穿，并限制其集电极电流，就可避免二次击穿。 二、功放管的散热问题 功放管损坏的重要原因是其实际耗散功率超过额定数值PCM。而晶体管的耗散功率取决于管子内部的 PN结（主要是集电结）温度 Tj，当 Tj超过允许值后，集电极电流将急剧增大而烧坏管子。 硅管的结温允许值为120～180℃，锗管的结温允许值为85℃左右。耗散功率等于结温在允许值时集电极电流与管压降之积。 管子的功耗愈大，结温愈高。因而改善功放管的散热条件，可以在同样的结温下提高集电极最大耗散功率PCM ，也就可以提高输出功率。 二、功放管的散热问题 1、热阻的概念 热的传导路径，称为热路。阻碍热传导的阻力称为热阻。真空不易传热，即热阻大；金属的传热性好，即热阻小。 在晶体管中，管子上的电压降大部分都降在集电结上，它和流过集电结的电流造成集电极功率损耗，使管子发热。这个热量要从管芯向外传递。设结温为Tj ，环境温度为Ta ，则温差?T（= Tj － Ta ）与集电结耗散功率PC成正比，比例系数称为热阻尼，即 可见，热阻尼是传递单位功率时所产生的温差，单位为℃／W。RT愈大，表明相同温差下能够散发的热能愈小。换言之， RT愈大，表明同样的功耗下结温愈高。可见，热阻是衡量晶体管散热能力的一个重要参数。 2、热阻的估算 以晶体管为例，管芯（J）向环境（A）散热的途径有两条：管芯（J）到外壳（C），再经外壳到环境；或者管芯（ J ）到外壳（C），再经散热片（S）到环境。即J→C → A或J → C → S → A，如下图所示。 设J~C间热阻为RjC ，C~A间热阻为RCa ，C~S间热阻为RCS ，S~A间热阻为Rsa ，则反映晶体管散热情况的热阻模型如下图所示。 不同型号的管子RjC不同，如 3AD30的RjC为 1℃/W，而 3DG7的RjC却大于150℃／W，可见其差别很大。 RCa与外壳所用材料和几何尺寸有关，如大功率管3AD30的RCa为 30 oC／W，而小功率管 3DG7的RCa为 150℃／W。 上式中RCS既取决于晶体管和散热器之间是否加绝缘层（如聚乙烯薄膜、0.05～0.lmm的云母片），又取决于二者之间的接触面积和压紧程度。 RSa与散热器所用材料及其表面积大小、厚薄、颜色，和散热片的安装位