光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽 - 深圳大学.pdf

8 6 V ol. 8 No. 6 2010 11 Nanotechnology and Precision Engineering Nov. 2010 1, 2 1 1 1 赵志刚 , 牛憨笨, 雷耀虎 , 郭金川 ( 1. , 518060; 2. 76127, 424208) : 为解决用光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽过程中出现均匀性 的问题, 在分析了传统光助 电化学刻蚀装置中存在的不足的基础上, 设计并制作了一套新型大面积光助电化学刻蚀装置. 该装置通过特殊设 计的花洒式溶液循环机构和水冷隔热系统, 解决了大面积硅片在长时间深刻蚀过程中出现的溶液升温和气泡堆积 的问题. 借助这套装置能够实现 127 mm ( 5 inch) 及以上大面积硅片的均匀深刻蚀. 同时, 通过采用以 00 1A /m in的 速率逐步增加刻蚀电流的方法, 来补偿侧向腐蚀对槽底电流密度的影响, 保证了整 个刻蚀过程中硅深槽形貌的一 致性. 最终在整 个127 mm 硅片上制作出了各处均匀一致的硅深槽, 深度达 60 m深宽比在 20以上. : ; ; ; ; : TN 3057; TG 1743; TB383 : A : 2010) Photoelectrochemical Etching of LargeAreaH ighAspectRatio Silicon Deep Trenches 1, 2 1 1 1 ZHAO Zh igang , N IU H anben , LE I Y aohu , GUO inchuan ( 1. Key L aboratory of Optoelectron ic Dev ices and System s ofM inistry of Education, Shenzhen Un iv ers ity, Shenzhen 518060, Ch ina; 2. Unit No. 76 127, P eop les Liberation A rmy, Chenzhou 424208, China) Abstract: T o dealw ith the prob lem of nonun iform ity in photoelectrochem ical etch ing of largearea high aspectratio silicon deep trenches, a novel largearea photoelectrochem ical etch ing setup w as designed and m anufactured, based on analysis of the defau lts in traditional photoelectrochem ical etch ing setups. W ith