隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响①.pdfVIP

第 3 卷　第 2 期 电化学 V o l. 3　N o. 2 1997 年 5 月 EL ECTROCH EM ISTR Y M ay 1997 隧道电子和局域场对固液界面纳米区域 反　应　的　影　响① ( ) ——控电位下的 Si 111 表面的 STM 诱导纳米刻蚀 谢兆雄 　　蔡雄伟　　施财辉　　毛秉伟　　田昭武 ( 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室　物理化学研究所　化学系　厦门　361005) 扫描隧道显微技术(STM ) 目前已成为纳米加工技术的重要组成部分. STM 纳米加工主 要利用了 STM 针尖与样品间的局域隧道电流及各种局域场如强电场等的相互作用而诱导该 [ 1, 2 ] 区域的物理性质变化或化学反应发生而实现的 . 目前所报道的STM 纳米加工大都是在真 空系统或空气下进行的, 而在溶液或电化学体系中的 STM 加工还较少. 在非电化学体系中, 往往因为体系较为稳定, STM 诱导反应所需的能量较高, 多数的 STM 诱导加工是在高偏压 脉冲或在高偏压扫描等较为苛刻的条件下实现的. 而在电化学体系中, 可控因素多得多, 如电 极溶液界面电势差、界面的组成和结构都可以改变; 还可以使半导体表面能带弯曲程度发生变 化等. 当控制电极表面状态处于发生某一电化学反应的临界边缘, 通过 STM 的局域场的微扰 将可能实现温和条件下的纳米加工. 硅是微电子工业中的重要材料, 从 STM 纳米加工开始, 人们就把注意力集中到这一重要 的材料上[ 3, 4 ] , 但仍重点在空气或真空中研究 STM 纳米修饰. 在电化学体系中, J. H. Ye [ 5 ] 等利 用电极电位正脉冲实现了 Si ( 100) 表面的 1% H F 溶液中的纳米修饰. 本文报道了在保持 STM 的偏压和隧道电流不变的前提下, 通过控制合适的电极电位, 实现温和条件下的H 钝化 ( ) Si 111 表面的纳米级诱导刻蚀. 实验在D I 公司N ano scope a SPM 系统上进行, STM 探针为 P tIr 丝经电化学腐蚀方 法制成, 并用热熔胶经“二步包封”制成电化学 STM (ECSTM ) 探针. n Si 单晶为 P 掺杂(V ig ) ( ) , . , 电阻率为0. 1～ 1 , 抛光面为 111 面. 各种浓度的 溶 in ia Sem iconducto r Inc U SA cm H F 液用分析纯 40% H F 溶液与超纯水配制而成. ECSTM 实验中的参比和辅助电极分别为A g A gC l 电极和P t 丝. ECSTM 针尖和研究电极 Si 的电位由双恒电位仪控制, Si 电极电位和 STM 偏压独立可调. ( ) ( ) 111 在 0. 5% 溶液中的开路电位为- 0. 3 . 一般认为, 当 电极 Si H F V V s A gC l A g Si 电位控制在开路电位以负的阴极电位