原子级平整硅基底的制备-河北师范大学学报.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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原子级平整硅基底的制备-河北师范大学学报

26 4 () V ol 26 No 4 2002　7 Journal of Hebei N ormal U niv ersi ty ( N at ural Science Edi tion ) Jul 2002 原子级平整硅基底的制备 1 2 吴育飞 ,　胡瑞省 ( 1 , 　0500 16; 2 , 　05080 1) 　: RCA Pira nh a ,, 、 ( A FM ) , 3-- ( A PS), A FM X -( X P S) : ; ; : 649 1　　　: 　　　: 1000 -5 854( 2002) 04-0 387-0 3 O A , 、 ,, ,,, , 2: Si / H, [ 1] ,— O H,, , / , Hi gashi HF Si H [ 2, 3 ] Si / H ,, ,, 1　 1 1　试　剂 n ( 111), 0 010～ 0 0 15Ψ·cm , 3- -( A P S, 97% ) , Flu ka ( Puri c-z) , 16 8 · , MΨ cm 1 2　单晶硅的表面处理及修饰 0 5 cm× 0 5 cm,: ( 1)、、 2 min ,; 2 4 2 2 ( 2) Pi ra nh a ( 98% H SO 30% H O 4 ∶1) 80℃ 10 mi n, ; ( 3) 4 9% ∶40% 4 1∶7 90 , 60 ,; HF N H F s s ( 4) 3 · 2 ∶ 2 2 ∶ 2 1∶1∶6 80℃ 15 ,; N H H O H O H O min ( 5) ∶ 2 2 ∶ 2 1∶1∶6 85℃ 10 ,, HCl H O H O mi n [4 ] 0 05% A PS 1h ,, : 200 1 08 08; : 200 1 11 2 1 : ( 1963- ) ,,,, 　　　　　　　　　　　　　　　　()　　　　　　　　　　　　　　 26 388 , 120℃ 30 min , 2 mi n , 1 3　表征 J JC Ⅱ ( 5) , ,( 16± 2)℃、 50% ～ 60% ,, 220 , α , X PS ESC AL A B IX L Mg K 10μPa, C1s 284 8 eV A FM D I Na nosco peⅢ A ,, ( t appi ng mo de) ,,( RM S) 2　 2 1　单晶硅