HJ198P 高温五PNP 三极管阵列集成电路 - 陕西航晶微电子有限公司.PDF

HJ198P高温五PNP 三极管阵列集成电路 HJ198P高温五PNP 三极管阵列集成电路 HHJJ119988PP高高温温五五PPNNPP三三极极管管阵阵列列集集成成电电路路 一、概述 一、概述 一一、、概概述述 HJ198P是由五个PNP硅晶体管组成的三极管阵列集成电路。其中，两个三极管通过内部引线连接 形成差分对管，它既可在通用的电路中作为高性能分立晶体管使用，也可用作专门的晶体管阵列使用。 采用特殊加工工艺和优选芯片，确保三极管阵列具有良好的电性能匹配、良好的热性能匹配和极好的通 10 道隔离度（通道绝缘电阻大于10 Ω）。该电路采用了14线陶瓷扁平封装，工作温度范围为-55~+200℃， 可与198HT5/198HT6/198HT7/198HT8互相代换。 二、电原理图 二、电原理图 二二、、电电原原理理图图 三、封装形式及引出端功能 三、封装形式及引出端功能 三三、、封封装装形形式式及及引引出出端端功功能能 采用F14-01C陶瓷扁平外壳封装，外形尺寸见附录一图9。 引脚号 1 2 3 4 5 6 7 功能 e4 b4 c4 e5 b5 c5 e3 引脚号 8 9 10 11 12 13 14 功能 b3 c3 c2 b4 e2 b1 c1 e5 四、绝对最大额定值 四、绝对最大额定值 四四、、绝绝对对最最大大额额定定值值 电源电压 50V 工作温度范围 -55~+200℃ 耗散功率 600mW 贮存温度 -55～+200℃ 五、电特性 五、电特性 五五、、电电特特性性（除非另有说明，T =+25℃。） A 规范值 参数名称 符号 测试条件 单位 最小值 典型值 最大值 集电极-基极击穿电压 V I =0.01mA 50 V (BR)CBO C 集电极-发射极击穿电压 V I =0.1mA 45 V (BR)CEO C 集电极-基极截止电流 I V =-30V 0.01 0.1 μA CBO CB 1 单位：陕西航晶微电子有限公司 主页： E-mail：hangjing@ 电话：029 029传真：029 地址：西安市南二环东段68号友和大厦A801 集电极-发射极截止电流 I V =-30V 0.1 5 μA