第38页113光电导效应-仪器信息网.PPT

光电子能谱（photoelectron spectroscopy），利用光电效应的原理测量单色辐射从样品上打出来的光电子的动能（并由此测定其结合能）、光电子强度和这些电子的角分布，并应用这些信息来研究原子、分子、凝聚相，尤其是固体表面的电子结构的技术。对固体而言，光电子能谱是一项表面灵敏的技术。虽然入射光子能穿入固体的深部，但只有固体表面下20～30埃的一薄层中的光电子能逃逸出来（光子的非弹性散射平均自由程比电子的大10～10倍）, 因此光电子反映的是固体表面的信息。 在光电器件中，光电管、光电倍增管和某些光电器件都是建立在光电发射效应基础上的。 典型应用 光电发射效应的几个规律： 1、光电发射第一定律 当入射光线的频谱成分不变时，光电阴极的饱和光电发射电流 IK 与被阴极所吸收的光通量ΦK 成正比。即 IK = SK ΦK 式中SK 为表征光电发射灵敏度的系数。 用光电探测器进行光度测量、光电转换的一个最重要的依据。 2、光电发射第二定律 发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，而与入射光的光强无关。即光电子发射的能量关系符合爱因斯坦方程： 式中 h 为普朗克恒量（ 6.626055 ± 0.0000040 × 10-34 J.s ）；v 为入射光频率；me 为光电子的质量；vmax 为出射光电子的最大速率；φO 为光电阴极的逸出功。 3、光电发射第三定律 当光照射某一给定金属或某种物质时，无论光的强度如何，如果入射光的频率小于这一金属的红限v o ，就不会产生光电子发射。显然，在红限处光电子的初速应该为零，因此，金属的红限为 v o = φo / h 4、光电发射的瞬时性 光电发射的延迟时间不超过 3 × 10-13 s 的数量级。因此，实际上可以认为光电发射是无惯性的，这就决定了外光电效应器件具有很高的频响。 光电发射瞬时性的原因是由于它不牵涉到电子在原子内迁移到亚稳态能级的物理过程。 1.1.3 光电导效应 1. 定义：光电导效应指固体受光照而改变其电导率。 半导体和绝缘体的效应 2. 光电导体的三个重要参数 1. 光电导体的灵敏度 光电导灵敏度的意义？ 和什么有关？ G = βτ/ tL （1）  式中β为量子产额；τ为光生载流子寿命；tL为载流子在光电导两极间的渡越时间，一般有 tL = l /μE = l2 /μU （2） 将式（1）代入式（2）可得  G = βτμU/l2 如果在光电导体中自由电子与空穴均参与导电，那么，光电增益的表达式为 G = β(τnμn +τpμp )U/l2  式中τn和τp分别为自由电子和空穴的寿命；μn和μp分别为自由电子和空穴的迁移率。 光电导的弛豫 光电导上升或下降的时间就是弛豫时间，或称为响应时间。 弛豫时间长---光电导反应慢---惯性大； 弛豫时间短---光电导反应快---惯性小。 光电导的弛豫表现了光电导对光强变化反应的快慢 在分析定态光电导和光强之间的关系时，通常讨论下面的两种情况：直线性光电导的弛豫过程和抛物线性光电导的弛豫过程。这两种典型情况的△n（或△p）于光强的关系可表示成： △n= ?I? 式中?为光电转换因子，一般指在某一光强范围内的?值 1）直线性光电导的弛豫过程（即光电导与光强呈线性关系） △n =?I In ? ? = △n /τ In是以光子计算的入射光强 α为光电导体对光的吸收系数 ? 量子产额 恒定光照下决定光电导上升规律的微分方程为：  Q-R 根据上式的初始条件t =