超高真空系统中GaAlAs光电阴极的重新铯化研究 - 物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 17 (2014) 178502 超高真空系统中GaAlAs光电阴极的 重新铯化研究 张益军 甘卓欣 张瀚 黄帆 徐源 冯琤 (南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094) ( 2014 年4 月1 日收到; 2014 年5 月12 日收到修改稿) 为了探索在超高真空系统中使用稳定性和重复性好的光电阴极, 开展了金属有机化学气相沉积生长的反 射式GaAlAs 和GaAs 光电阴极的激活实验和重新铯化实验, 测试了Cs/O 激活后和重新补Cs 后的光谱响应 曲线和光电流衰减曲线. 实验结果表明, 在100 lx 白光照射条件下, 超高真空环境中的GaAlAs 光电阴极在 Cs/O 激活后和重新补Cs 激活后的光电流衰减寿命相比GaAs 光电阴极更长, 并且在多次补Cs 激活后呈现较 一致的蓝绿光响应能力和光电流衰减寿命, 体现了GaAlAs 光电阴极在真空系统中稳定性和可重复性使用方 面具有的优越性, 为海洋真空探测器件和真空电子源领域的研究提供了实验指导. 关键词: GaAlAs 光电阴极, 光电流衰减, 重新铯化, 光谱响应 PACS: 85.60.Ha, 79.60.–i, 68.43.Tj, 73.61.Ey DOI: 10.7498/aps.63.178502 电阴极有希望应用于直线加速器、第四代光源等高 78 1 引 言 能物理领域 . 无论是像增强器中还是真空电子源中的NEA III-V 族负电子亲和势(NEA) 光电阴极具有高 光电阴极, 超高真空环境是制备高性能NEA 光电 量子效率、低热发射、快时间响应等特性, 在现代真 阴极的前提, 因此如何保持超高真空系统中NEA 空光电探测器件领域具有广泛的应用, 可根据不同 光电阴极的稳定性一直是阴极研究中的热点问题. 波段响应要求设计出不同禁带宽度的NEA 光电阴 研究者纷纷开展了真空中残余气体对GaAs 光电阴 极材料13 . 由于海水在470—580 nm 波段存在一 极稳定性影响的实验研究, 提出了通过改善系统 个透光窗口, 为了对海洋中目标物体进行有效的探 真空度和激活后重新铯化的方法来提高GaAs 光电 测识别, 有必要基于此透光窗口研制对蓝绿光响应 阴极寿命的方法916 . 尽管GaAs 光电阴极的稳 的海洋光电探测器件. 鉴于GaAlAs 材料禁带宽度 定性已经得到了广泛研究, 然而关于GaAlAs 光电 的可调性以及相对GaAsP 材料生长的容易性, 研 阴极在光照条件下的稳定性情况还鲜有报道. 为 究者尝试制备了对532 nm 波长敏感的反射式和透 了探索GaAlAs 光电阴极在超高真空系统中的使 射式GaAlAs 窄带响应光电阴极46 . 另外, 作为 用稳定性和可重复性使用情况, 本文利用自行研 理想的真空电子源光电阴极材料, 应满足发射电子 制的NEA 光电阴极多信息量测控系统分别开展了 自旋极化率高、发射电流密度大、发射电子能量与 GaAlAs 光电阴极的激活实验和重新铯化实验研 角度分布集中、工作寿命长和使用重复性高等特点, 究, 比较了在相同真空系统中, GaAlAs 和GaAs 光 由于波长为532 nm 的激光束常被用于照射真空电