集成电子学-1剖析.ppt

阈值电压设计窗口 从降低功耗，考虑希望器件的阈值电压尽可能增大，但是从提高电路性能考虑又希望尽量减小阈值电压。必须综合考虑速度、噪声容限和功耗几方面的要求。需折衷考虑，优化设计。 例如，对于一个工和在1V电源电压的高端RISC处理器，如果允许的总功耗是10W，则静态功耗不应超过总功耗的10%，也就是说静态功耗应小于1W。如果芯片上总的器件宽度是10m，亚阈值斜率为100mV/dec，，则从静态功耗考虑，阈值电压的数值必须大于0.1V。 考虑其他泄漏电流，因此对阈值电压的要求应该更高一些。 图2.51示出了综合考虑延迟时间、噪声容限和静态功耗几方面的因素，得到的可接受的阈值电压设计窗口。 从提高工作速度考虑，阈值电压的取值应小于延迟时间决定的限制； 从保证电路稳定工作考虑，阈值电压应大于噪声容限决定的限制 ； 从降低静态功耗考虑，阈值电压应大于一定的范围。 对照前面讨论的高端RISC，综合考虑上述要求，在1V电源电压下，阈值电压可取为0.15V。 随着器件尺寸的减小，电源电压降低，可接受的阈值电压范围也越来越小。 解决方案：多阈值电路；动态阈值器件 。 九、源漏串联电阻的影响 MOSFET的沟道与两个寄生电阻RS和RD互相串联。 每个电阻都可以认为由三部分组成：(1)金属与源漏区的接触电阻；(2)源漏区的主体电阻；(3)当电流从源漏区流向通常较薄的反型层时，与电