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  • 2017-09-09 发布于湖北
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可控硅简介

2009年1月;2; A.可控硅原理与特性 ; 图1 可控硅等效图解图 ; 图2 可控硅结构与符号 ; 晶闸管在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。; 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1 表1 可控硅导通和关断条件 ; 图3 可控硅基本伏安特性;(1)反向特性 ;(2)正向特性 ; 由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。 这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图3中的BC段 ;3、触发导通 ;晶闸管的特点小结:;B.可控硅分类与检测;(二)可控硅按引脚和极性可分为二极可控硅、三 极可控硅和四极可控硅。 (三)按封装形式分类晶闸管的种类分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。; 塑封可带散热片型 平板形;(四)按电流容量分类晶闸管的种类可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。    (五)按关断速度分类晶闸管的种类可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。 ; 可控硅型号及含义 K □ □ -- □ □ ; 参数符号说明; 晶闸管主要特性参数 ;晶闸管的选择; 二.可控硅检测; (二) 可控硅测试仪 ; (三) 可控硅简易检测电路 ;C.可控硅应用;应用:ZX5—630可控硅整流弧焊机;ZX5—630可控硅整流弧焊机 ZX5—630可控硅整流弧焊机; 焊机电气原理概述如下:;应用:可控硅交流调压器;电路图如下:; 电路原理:;应用:可控硅中频电路;;电路原理:; (五)、无触点功率静态开关(固态开关) ;可控硅交流固体继电器:; 图中DIAC是双向二极管,保证双向可控硅SCR的可靠导通,在双向可控硅导通后, DIAC用来保护光敏三极管免于击穿,又利用DIAC的导通稳压特性和电容C1的移相作用,使触发支路的功率降低。由于使用了DIAC ,使得许多在其他电路中不易触发而被筛选掉的可控硅能够重新使用,并稳定工作。;D.可控硅触发与保护; 一:可控硅触发 ;1. 单结晶体管触发电路;;触发电路原理:; 单结晶体管触发电路输出脉冲的功率较小,脉宽较窄,适用于精度要求不高的单相晶闸管系统。为了保证触发脉冲具有足够的功率,常采用由晶体管组成的触发电路。按照同步电压的型式不同,常用晶体管触发电路可分为同步电压为正弦波和同步电压为锯齿波两种,其中同步电压为锯齿波的触发电路,不受电网波动和波形畸变的影响,移相范围宽。;2. 同步电压为锯齿波的(晶体管)触发电路;电路原理:;3. 集成电路;3. 集成电路;二 可控硅保护;1 过流保护;一般有以下几种措施(见图)。 ? (1) 在进线中串接电抗器限制短路电流,使其他保 护方式切断电流前元件短时间内不致损坏。 (2) 线路采

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