硅光电池的光电特性.pptVIP

第七节硅光电池的光电特性 内容提要 实验目的 实验原理 仪器介绍 了解硅光电池的光电特性，即短路电流及开路电压与照度的关系。 实验原理 硅光电池在原理结构上类似于光电二极管，其区别在于硅光电池用的衬底材料的电阻率低，约为0.1~0.01?.cm ，而硅光电二极管衬底材料的电阻率约为1000?.cm，光敏面从0.1?.cm2 ~10?.cm2不等，光敏面积大则接受辐射能量多，输出光电流大。 TKGD－1型硅光电池特性实验仪 A、短路电流实验 1、在光电池实验模块按图连接。 2、开启电源，调节光强为0、250 Lx、500 Lx、750 Lx、1000 Lx、1250 Lx，记下电流表的读数（暗电流），并将数据填入表。 B、开路电压实验 1、按照图接线。 2、开启光强开关，调节光强为0、50 Lx、100 Lx、150 Lx、200 Lx、250 Lx、500 Lx、750Lx、1000 Lx、1250 Lx，记下电压表的读数，并将数据填入表。 3、关闭光强开关，作出照度—开路电压曲线。 数据处理 1、根据上表作出照度—短路电流曲线。 2、参考曲线： 3、实验中应注意光强调整，电流或电压数值的转换，使光电池的输出随光照有明显变化。 1、硅光电池受光照内部变化符合什麽规律？ 2、实验中所接电源和输出有无关系？ 3、从数据处理结果分析光照特性。 * * 实验步骤 数据处理 思考题 实验目的 仪器介绍 TKGD－1型硅光电池特性实验仪 实验步骤 思考题