如何选择恰当的超低静态电流LDO稳压器.pdf

LDO LDO 如何选择恰当的超低静态电流LLDDOO稳压器 电子应用设计人员现今面临的一项极重要挑战是将电子系统能耗降至最低。为了 达到此目的，大多数系统利用不同的低功率模式，帮助降低整体功耗。在利用不 同工 作模式时，系统供电电流差异极大，低者如休眠模式下仅为数微安(μA)或 不足1微安，高者如完整功率模式下达数十毫安(mA)甚至数百毫安。低压降线 性稳压器 通常简称为( LDO)是任何电源系统的常见构建模块，而线性稳压器的选 择对系统总体能耗有重要影响。不仅如此，系统设计常常要求LDO 不仅具有超 低静态电流特性，还应当提供良好的动态性能，确保提供稳定及无噪声的电压输 IC 入端，适合敏感电路应用。这些要求还常常相互排斥，为 设计人员带来切实 的挑战。因此，市场上同时满足两方面要求的LDO 为数不多。 本文将探讨在选择LDO 时需要在提供低IQ与良好动态性能之间进行的折衷，及 现时一些能达至可接受的平衡的技巧。 LDO LDO 选择LLDDOO时要顾及的因素 为 低功率应用选择线性稳压器时，工程师主要搜寻符合他们输入电压及输出电 IQ( IQ15μA) LDO IQ 流规格的超低 本文的定义是静态电流 。当根据 规格来进 行选择可提供一些很好的LDO 电流消耗相关的初始信息，但IQ 相同或近似的两 款LDO在动态性能方面可能差异很大。如果我们回 想起来IQ 的定义是没有施 IQ 加任何负载条件下的接地电流消耗，那么 就变成一个实际参数了。在实际案 例中，可能更适宜于查看极轻载条件下的接地电流消耗 (数微安至数百微安)。 需要说明的是，在评估不同制造商的各种LDO 产品后，不难发现数据表中的IQ 10 100μA 规格仅针对的是完美的空载条件，而非较真实的 至 输出负载。某些时 候，知道与输入电压或温度相关的接地电流特性也有实质意义。市场上某些稳压 器在输入电压下降时接地电流明显增大，LDO 进入其压降 区。在选择用于电池 供 电设备的LDO时，这可能是重要因素。其它意料之外的电流消耗可能对产品 有负责影响，大幅缩短电池使用时间。如果应用在大部分时间处于空闲或休眠状 态，仅 消耗极小电流，这种意料之外的影响就尤为严重了。设计人员应常阅读 数据表的IQ规格，而且若有可能，在决定选择某个特定LDO 之前，还要审查相 IQ ILOAD 关的 与 对比图表。 IQLDO IQLDO 超低IIQQLLDDOO的动态性能参数 影响超低IQLDO 稳压器动态性能参数主要有两项因素。一是使用的技术节点。 IQLDO CMOS BiCMOS 安森美半导体的大多数超低 采用的是先进的 或 技术， 并提供针对低功耗、高速电源管理IC 优化的特定工艺流程。虽然恰当的技术选 择必不可少，但很明显的是，这还不能确保LDO 稳压器具有良好的动态性能。 确定最终性能的第二个关键是设计LDO 时 应用的设计技术，而这来自于此领域 的设计经验。安森美半导体在这个领域拥有40多年的经验，最新世代的器件同时 提供超低噪声、良好的电源抑制比 (PSRR)及超低IQ。为了详细阐明这一点，下 文将探讨不同类型稳压器的动态性能。 1 MC78LC 图 ： 负载瞬态改善。 IQ