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第十,十一章-导体和电介质,稳恒电流概要1
静电场中的导体和电介质 一、静电场中的导体 (1)静电平衡条件和特征 (2)应用(一)静电屏蔽 (3)应用(二)贮电---电容器 二、静电场中的电介质 (1)电介质的极化 (2)电介质中的静电场的基本定理 三、静电场的能量 (1)电场的能量 (2)电容器的能量 分析教材上的例10.5 (p78) 求电容。 解:假设内外球壳带电±q, 作半径为r的球形高斯面, 本章只限于讨论各向同性均匀金属导体与电场的相互影响。 金属导体模型 构成导体框架、形状、大小的是那些基本不动的带正电荷的离子,而自由电子充满整个导体, 属公有化。 当有外电场或给导体充电,在场与导体的相互作用的过程中,自由电子的重新分布起决定性作用。 自由电子 一、静电场中的金属导体 (一)、导体的静电平衡条件: ,导体处于静电平衡状态!!此时导体内部和表面都无电荷定向运动! 外电场与自由电荷移动后的附加场 之和为总场强 (二)、静电平衡下的导体的性质 2 处于静电平衡下的导体, 其内部各处净余电荷为零; 电荷只能分布在表面。 导体表面邻近处的场强 必定和导体表面垂直。 高斯面 1 由导体内部场强处处为零 无净电荷 ? ? ? ? ? ? ? ? 导体是个等势体,导体表面是个等势面 3. 导体表面电荷面密度与表面邻近 处的场强成正比。 4. 导体表面电荷面密度与各处表面的曲率有关,曲率越大(曲率半径越小)的地方,面电荷密度越大。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 高斯面 电荷面密度与导体球半径成反比。导体球的半径越小,电荷面密度越大,导体表面的场强越强。 【例】两半径分别为R、r的球型导体相距甚远,用细线相连,求两球表电荷面密度的比值。 应用(一)静电屏蔽: 1、任何导体腔内的物体不受外电场的影响; 2、一个接地的导体腔 内的带电体的电场不影响腔外的物体。 例:金属均压服,屏蔽室,屏蔽电缆等。 [例题]导体 A含有两个空腔,在腔中心分别有qb、qc。导体本身不带电。在距 A中心 r远处有另一电荷qd,。问qb、qc、 qd各受多大力? 解:两空腔内的电场都不受外界影响;内表面感应电荷均匀分布,因此,导体内(空腔除外)场强为零,qb、qc 受力为零。 根据电荷守恒,导体外表面感应电量 , 电荷均匀分布,因此,导体外场强分布类似于点电荷的场 ,电荷qd, 受力为 例10.1 (p58) 一块面积为S的金属大平板A,带电量为Q,在其附近平行放置另一块不带电的金属大平板B,两板间距远小于板的线度。试求两板表面的电荷面密度,以及周围空间的场强分布。 解:设各表面的电荷面密度分别为?1 ,?2, ?3 ?4 ,如图所示。 由电荷守恒可知: 根据静电平衡条件,金属板内场强处处为零,则有: 解上述4式可得: 三个空间的电场强度为: 例10.2 (p59) 如图所示,一半径为R1的导体球A,带有电量q,球外有一内、外半径分别为R2和R3的同心球壳B带有电量Q。(1)试求球A和球壳B的电势,(2)若用细导线连接球A和球壳B,再求其电势;(3)若未连接时使外球接地,此时其电势又是多少? 分析:首先是计算电场强度的分布,然后用电势的定义来计算就可以了。 解:(1)由静电平衡条件可知,导体球和球壳内的场强为零,电荷均匀分布在表面上。 所以空间电场分布有: 根据在球壳B作一高斯面,用高斯定理可得球壳内表面的感应电荷为-q;由电荷守恒可得球壳外表面的感应电荷为(q+Q)。 根据电势的定义,则外球壳的电势为 内球A的电势为: (2)球壳内的电场为0,球壳外的电场分布与(1)相同,所以有: (3)球壳外的电场为0,球壳内的电场分布与(1)相同,所以有: 腔体和腔外的电场强度和电势分布不随q 位置变化。 思考题:外半径为R 的导体球壳,腔内有一个电量q 的点电荷,如图所示。分析q在腔内不同的位置时,腔内外的电场强度和电势的变化。 腔内的电场强度和电势分布随q 位置变化。 由静电屏蔽可知:腔外面的电荷分布不随q 位置变化,腔内表面电荷的分布随q 位置变化,所以有: 对于孤立导体的电容(相当于B在无穷远,VB=0): 1、电容器的电容: 应用(二)电容器,电容的计算 方法1:定义出发。基本步骤: (1). 先假设两极板分别带电+q、-q; (2). 用高斯定理求电场强度的分布,求两极板间的电势差 ; (3). 用定义式。 2、电容的计算 例 圆柱形电容器 平行板电容器 球形电容器 方法2:电容器的串联与并联 作业:
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