开题报告-参考.doc

学科代码 编 号 论文开题报告 论文题目： 新型二硅化钼弥散强化铜基复合材料的研究 年 月 日 学位论文题目 新型二硅化钼弥散强化铜基复合材料的研究 课 题 来 源 一、课题意义及国内外研究现状综述 1. 课题目的及意义 弥散强化铜合金（Dispersion Strengthened Copper,简称DSC）是在上世纪70年代研究开发出的一类新型材料[1]。研制开发高强度高导电铜基导电材料一直是铜合金研究的热点之一[2]。高强高导铜合金是一类具有优良综合物理性能和力学性能的功能材料，它既具有高的强度和良好的塑性，又继承了紫铜的优良导电性能，是制备电阻焊电极、缝焊滚轮、焊炬喷嘴、电气工程开关触桥、发电机的集电环、电枢、转子、电动工具换向器、连铸机结晶器内衬、集成电路引线框架、电车及电力火车架空导线等的优良材料[2-5]。但在导电铜合金的研究和制备中长期存在着高强度和高导电性之间的矛盾，因此，如何在尽可能少降低铜的导电(热)性的前提下，大幅度提高其强度以达到导电性与强度的良好匹配,是当前研究和制备导电铜合金的中心任务之一。 国外60年代起就进行了高强高导铜合金系统研究，开发了一系列产品。针对其性能而开发出来的电阻焊电极首先在国外得到广泛应用[6]。目前，美、日等发达国家已垄断了大部分国际市场，并大量向发展中国家倾销。80年代以来我国的上海交通大学、武汉钢铁公司等单位也开始了这方面的工作，但目前这类材料很大一部分仍依赖进口，对这类材料缺乏系统的研究[1]。因此,结合我国资源的特点，逐步建立我国高性能铜合金体系、研究性能优异、有我们自己知识产权的高性能铜合金，具有战略意义和现实意义。 2.国内外研究现状 弥散强化铜材料在较高的工作温度下能够保持高机械强度，高导电和导热能力，并具有抗中子辐射的特点，因此被广泛用于电阻焊电极，电子元器件引线框架，核聚变系统中的导热部件等材料。 复合材料法是研制高强高导铜合金的发展方向。但目前的研究主要集中在氧化物弥散强化铜(ODSC)，它是通过向铜基体中引入均匀分布的、细小的、具有良好热稳定性的氧化物颗粒[12],如Al2O3、ZrO2、SiO2、Y2O3、ThO2等来强化铜而制得的材料，但目前高强高导电铜复合材料的制备工艺还不尽成熟,还存在许多问题,难以精确控制增强相的尺寸及其间距、空间排列；强化相的引入导致材料的导电性能下降；烧结材料的致密度低直接影响了材料的强度和导电性能。 国外于20世纪70年代开始对其进行研究，并由美国SCM公司成功开发出内氧化法制备氧化铝弥散强化铜产品。其代表产品C15715，C15760的软化温度为930℃，电导率为92%IACS，抗拉强度也达540MPa。并已形成日产20吨的生产规模。我国对弥散强化铜的研究起步较晚。直到80年代，我国的天津大学，中国科学院金属研究所，合肥工业大学，上海交通大学，武汉钢铁公司，哈尔滨工业大学等单位开始对这类材料进行研究。因此，结合我国铜资源的特点，逐步建立我国高性能铜基材料体系，研究性能优异，有自主知识产权的高性能铜基材料，具有战略意义和现实意义。到90年代以后我国对该材料的研究给予了更大的关注，对添加弥散相的种类和方法也进行了探讨，但也只是处在实验室阶段，未有实际生产应用报道。 2.1 弥散强化机理 弥散强化机构的代表理论是位错理论。弥散强化材料中,弥散相是位错线运动的障碍,位错线需要较大的应力才能克服阻碍向前移动,所以弥散强化材料的强度高。轧制的纯铜或者沉淀强化铜合金材料在较高工作温度时，由于晶粒的再结晶和长大以及析出物的溶解而失效，但是弥散强化铜材料中第二相粒子能够钉扎位错，晶界，亚晶界，所以材料可以在接近铜熔点的温度下工作[14]。 2.2 弥散强化铜的主要方法 对于弥散强化铜主要有两种强化方法，一是引入合金元素强化铜基体形成合金。二是引入第二相强化相形成复合材料[15]。 2.2.1 固溶强化 固熔强化的产生是由于熔质原子熔入后,要引起溶剂金属的晶格产生畸变,进而使位错移动时所受的阻力增大的缘故[16]。但是固熔强化的高温性能差,加之固熔强化引起的点阵结构畸变对电子运动有强烈的散射作用, 从而使导电率大大下降,固熔强化的这些缺点,使其不能成为制备高强度高导电材料的主要手段。 2.2.2 细晶强化 细晶强化在于随晶粒直径减少,晶界增多,阻碍位错移动能力提高,因而强化了金属。晶粒细化仅产生晶体缺陷,细晶强化对材料导电率影响不大。所以,细晶强化是中温和低温材料的有效强化方法。 2.2.3 第二相强化 第二相强化是制备高强高电导率材料最理想的方法。实际使用的高强度合金大多含有高度弥散分布的细小的第二相质点,这些第二相往往是金属间化合物或氧化