湿法清洗和腐蚀工艺.docVIP

湿法清洗及湿法腐蚀 目 录 一：简介 二：基本概念 三：湿法清洗 四：湿法腐蚀 五：湿法去胶 六：在线湿法设备及湿法腐蚀异常简介 七．常见工艺要求和异常 一：简 介 众所周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随IC集成度的提高,硅片表面的洁净度对于获得IC器件高性能和高成品率至关重要, 硅片清洗也显得尤为重要.湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用. 二 基本概念 腐蚀是微电子生产中使用实现图形转移的一种工艺，其目标是精确的去除不被MASK覆盖 的材料，如图1： 图 1 腐蚀工艺的基本概念 ： ETCH RATE (E/R) ------腐蚀速率：是指所定义的膜被去除的速率或去除率，通常用Um/MIN，A/MIN为单位来表示。 E/R UNIFORMITY------ 腐蚀速率均匀性,通常用三种不同方式来表示: UNIFORMITY ACROSS THE WAFER WAFER TO WAFER LOT TO LOT 腐蚀速率均匀性计算UNIFORMITY=（ERHIGH - ERLOW）/（ERHIGH + ERLOW）*100% SE