MCS-51存储器和布尔处理器(第3章).pptVIP

EEPROM FLASHROM区别 FLASH集成度高，容量大，写入速度更快。 FLASH擦除以Block为单位； EEPROM擦除以Byte为单位 注（了解）： 8052/8032既有高128B的内部RAM，又有全部的SFR，它们地址空间重叠，依靠不同的寻址方式实现区别访问. 比较： MOV A,#01（MOV 0E0H,#01） MOV R1,#0E0H MOV @R1,#01H 作业：P50 3、6、7 * * 第三章 MCS-51存储器和布尔处理器 内存：存放当前执行的程序和数据，主机能直接访问，存取速度快，容量小。 外存：存放暂不执行的程序和数据，主机不能直接访问，存取速度慢，容量大。 存储器的功能是存储程序和数据。 § 3.1 概述 3.1.1 存储器的分类 RAM 存储器 双极型：由双极型晶体管构成，速度快、功耗大、集成度低、价格贵。 MOS型：由MOS管构成，速度比双极型RAM慢、功耗小、集成度高、价格便宜。按信息的存储方式分为：静态RAM和动态RAM及新出现的iRAM。 ROM EEPROM，电擦除(擦除以Byte为单位)。 可擦写EPROM，紫外线（一次全部）擦除，需专门的擦除设备。 掩膜ROM,出厂时已固化。 可编程PROM，用户一次固化。 FLASHROM，随机改写，速度快(擦除以Block为单位) 。 3.1.2 8051的片内存储器 　 8051单片机与一般微机的存储器配置方式很不相同。 一般微机通常采用冯·诺依曼结构，只有一个逻辑空间，可以随意安排ROM或RAM。访问存储器时，同一地址对应唯一的存储单元，可以是ROM也可以是RAM，并用同类访问指令。 而MCS-51则不同： 8051在物理结构上设计成程序存储器与数据存储器独立分开的哈佛结构： 片内程序存储器4KB（ROM 0000H~0FFFH） 片内数据存储器128B（RAM 00H~7FH） ★§3.2 MCS-51的存储器结构 8051在物理结构上有四个存储空间： 片内程序存储器、片外程序存储器、 片内数据存储器、片外数据存储器。 64KB ROM EA=0 EA=1 0000H 0FFFH 1000H FFFFH 4KB ROM FFH 80H 7FH 00H SFR RAM 64KB RAM (I/O) 0000H FFFFH 片内 片外 片外 程序存储器 数据存储器 8051在逻辑上，即从用户角度上8051有三个存储空间： 片内外统一编址的程序存储器 片内外不统一编址的数据存储器 特殊功能寄存器（片内） ★访问这几个不同的逻辑空间时，采用的指令： 片内外程序存储器空间----MOVC 片内数据存储器空间和SFR----MOV 片外数据存储器地址空间----MOVX 3.2.1 程序存储器及地址空间 作用--程序存储器用于存放编好的程序和表格常数。 ①8051片内有4K字节ROM，片外用16位地址线最多可扩展64K字节ROM，两者是统一编址的。 ★如果EA端保持高电平，8051执行片内前4KB ROM地址(0000H～0FFFH) 中的程序。当寻址范围超过4KB（1000H～FFFFH）时，则从片外存储器取指令。 ★当EA端保持低电平时，8051的所有取指令操作均在片外程序存储器中进行，这时片外存储器可以从0000H开始编址。 ②在程序存储器中，有6个单元具有特殊功能 0003H：外部中断0入口。 000BH：定时器0溢出中断入口。 0013H：外部中断1入口。 001BH：定时器1溢出中断入口。 0023H：串行口中断入口。 使用时，通常在这些入口地址处存放一条绝对跳转指令，使程序跳转到用户安排程序上。 0000H: 8051复位后，PC＝0000H，即程序从0000H 开始执行指令。 3.2.2 数据存储器及地址空间 数据存储器 片外RAM64KB，地址范围0000H~FFFFH 片内RAM128B，地址范围00H~7FH 使用时只能用MOVX指令访问 使用MOV指令访问，可以进行堆栈操作 片内数据存储器空间分布图 通用RAM区 (80B) 位地址区 (16B) 寄存器区 4组(32B) 7FH 寄存器3组 寄存器2组 寄存器1组 寄存器0组 寄存器区 4组(32B) . . . . . . . . . ①由PSW中的2位RS1、RS0来决定选 哪一组为当前工作寄存器： RS1、RS0=00 选0组 RS1、RS0=01 选1组 RS1、RS0=10 选2组