铜铟硒与铜铟硫太阳能电池中有序缺陷化合物的性质及对能带偏移的 .pdfVIP

第１８卷 第３期 （自然 科 学 版） Ｖｏｌ．１８Ｎｏ．３ ２０１２年６月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＨＡＮＧＨＡＩＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮＡＴＵＲＡＬＳＣＩＥＮＣＥ） Ｊｕｎ．２０１２ 　　ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００７２８６１．２０１２．０３．０１１　 铜铟硒与铜铟硫太阳能电池中有序缺陷化合物的 性质及对能带偏移的影响 余　斌，　徐　飞，　马忠权，　周平华，　石建伟， 郑玲玲，　李拥华，　洪　峰 （上海大学 理学院，上海２００４４４） 摘要：利用第一性原理模拟计算铜铟硒（ＣＩＳ）太阳能电池 ＣＩＳ吸收层，及 ＣＩＳ中普遍存在的有序缺陷化合物 （ｏｒｄｅｒｅｄｄｅｆｅｃｔｃｏｍｐｏｕｎｄ，ＯＤＣ）ＣｕＩｎＳｅ的性质．依据ＣｕＩｎＳｅ形成的方式，结合对称性越高、能量越低的原则，建 ５ ８ ５ ８ 立ＣｕＩｎＳ中的ＯＤＣＣｕＩｎＳ结构，并从态密度角度讨论ＣｕＩｎＳ与ＣｕＩｎＳ的差异．分别选用ＺｎＳｅ和ＣｕＩ半导体作 ２ ５ ８ ２ ５ ８ 为ＣＩＳ和ＣｕＩｎＳ电池的缓冲层，利用第一性原理计算得到价带偏移（ｖａｌｅｎｃｅｂａｎｄｏｆｆｓｅｔ，ＶＢＯ）．在ＺｎＳｅ／ＣＩＳ界面处， ２ ＣＩＳ的价带顶（ｖａｌｅｎｃｅｂａｎｄｍａｘｉｍｕｍ，ＶＢＭ）比ＺｎＳｅ高０．５２ｅＶ；在 ＣｕＩ／ＣｕＩｎＳ界面处，ＣｕＩ的价带顶比ＣｕＩｎＳ低 ２ ２ ０．３７ｅＶ，表明ＣｕＩ非常适合应用于ＣｕＩｎＳ电池缓冲层．ＯＤＣ中由于Ｃｕ的缺失，其ｄ轨道电子和阴离子ｐ轨道电子 ２ 的ｐｄ排斥力减小，使ＯＤＣ材料的价带顶相对于自身本征材料有所下降． 关键词：第一性原理计算；太阳能电池；有序缺陷化合物；价带偏移；ｐｄ耦合 中图分类号：Ｏ４７４　　　　　文献标志码：Ａ　　　　　文章编号：１００７２８６１（２０１２）０３０２７１０６　 ＯｒｄｅｒｅｄＤｅｆｅｃｔＣｏｍｐｏｕｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｎ ＢａｎｄＯｆｆｓｅｔｉｎＣｕＩｎＳｅａｎｄＣｕＩｎＳＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ ２ ２ ＹＵＢｉｎ，　ＸＵＦｅｉ，　ＭＡＺｈｏｎｇｑｕａｎ，　ＺＨＯＵＰｉｎｇｈｕａ，　ＳＨＩＪｉａｎｗｅｉ， ＺＨＥＮＧＬｉｎｇｌｉｎｇ，　ＬＩＹｏｎｇｈｕａ，　ＨＯＮＧＦｅｎｇ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２００４４４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｔｈｅｏｒｄｅｒｅｄｄｅｆｅｃｔｃｏｍｐｏｕｎｄ（ＯＤＣ）ＣｕＩｎＳｗａｓｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄａｎｄｉｔｓ ５ ８ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄａｎｄｃｏｍｐａｒｅｄｗｉｔｈＣｕＩｎＳ．Ｆｕｒｔｈｅｒ，ＺｎＳｅａｎｄＣｕＩｗｅｒｅｃｈｏｓｅｎａｓｔｈｅｂｕｆｆｅｒ ２ ｌａｙｅｒｓｏｆＣｕＩｎＳｅａｎｄＣｕＩｎＳｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈ