材料科学基础 第三章 晶体缺陷(六).pptVIP

第 三 章 晶 体 缺 陷 （六） ——实际晶体结构中的位错 若柏氏矢量不是晶体的平移矢量，当这种位错扫过后，位错扫过的面两侧必出现错误的堆垛，称堆垛层错。若这些错排不导致增加很多能量，则这种位错是可能存在的，称部分位错(不全位错) 六、实际晶体结构中的错位 1、实际晶体中位错的伯氏矢量 实际晶体中位错的伯氏矢量不是任意的，必须符合晶体的结构条件和能量条件 结构条件：伯氏矢量大小与方向，必须连接一个原子平衡位置到另一个原子平衡位置 能量条件：位错能量E∝b2 , 伯氏矢量越小越稳定 基本概念：单位位错 ( dislocation): 全位错(perfect dislocation): 不全位错(部分位错 partial dislocation) 2.???堆垛层错 正常堆垛顺序 FCC：ABCABC······ HCP：ABABAB······ 堆垛层错（stacking fault）：上述正常堆垛顺序遭到破坏或错排，有两类： （1）抽出型层错 （2）插入型层错 (1) Shockley不全位错 (Shockiey partial dislocation): 伯氏矢量： 4. 位错反应(dislocation reaction) ： (1) Thompson四面体Thompson’s tetrahedron 利用Thompson四面体可确定FCC结构中的位错反应。 （4）面角（Lomer－Cottrell）位错： (1)bcc 滑移面有{111} {112} {113} 单位位错 b = a/2〈111〉 bcc中易发生交滑移，没有扩展位错，没有位错分解 (2)hcp 全位错 (3)关于离子晶体的位错、共价晶体中的位错、高分子晶体中的位错请参考教材及有关资料。 (2) Frank不全位错 (Frank partial dislocation): 负Frank不全位错—抽出型 正Frank不全位错—插入型 b = a/3111，纯刃型，伯氏矢量垂直于层错面 弗兰克不全位错的形成：在完整晶体中局部抽出或插入一层原子所形成。（只能攀移，不能滑移。）? 抽去一层密排面形成的弗兰克不全位错 Negative（负） Frank positive Frank intrinsic stacking fault extrinsic stacking fault 内在 位错间的相互转化(合成或分解)过程。 位错反应满足条件： (1) 几何条件 伯氏矢量守恒性，即： (2) 能量条件 反应过程能量降低 即： 4. 位错反应 5. FCC晶体中的位错 四面体的4个面即为4个可能的滑移面： 四面体的6个棱边代表12个晶向，即为面心立方晶体中全位错12个可能的伯氏矢量。 每个面的顶点与其中心的连线代表24个1/6＜112＞型的滑移矢量，它们相当于面心立方晶体中可能的24个肖克利不全位错的伯氏矢量。 4个顶点到它所对的三角形中点的连线代表8个1/3＜111＞型的滑移矢量，它们相当于面心立方晶体中可能有的8个弗兰克不全位错的伯氏矢量。 4个面中心相连即??，??，??，??，??，??为1/6＜110＞是压杆位错 Thompson四面体及记号 扩展位错： (2)扩展位错(extended/split dislocation)： B B C 扩展位错：一对不全位错及中间夹的层错Extended dislocation A A A A A C B A B B b b1 b2 unslipped unfaulted slipped (faulted) zones I II III 把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位错 面心立方晶体中(111)面上全位错a/2[110]的分解 a：扩展位错的宽度 从前面已知，两个平行不全位错之间的斥力为 当层错的表面张力与不全位错的斥力达到平衡时，两不全位错的间距r即为扩展位错的宽度d， r为两不全位错的间距 面心立方晶体中的扩展位错 b：扩展位错的束集：外力作用下收缩为原来全位错的过程。 面心立方晶体中的扩展位错 扩展位错在障碍处束集 c：扩展位错的交滑移：扩