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材料物理基础 3.4 材料的介电性 3.4 材料的介电性 离子的电子位移极化率变化规律与原子大体相同。它随离子半径和价电子数增加而增大。因此负离子的电子位移极化率通常要比正离子的大。 实际表明，原子和离子的电子位移极化率与温度无关。因为温度的高低不足以改变原子或离子半径，或者说不足以改变原子或离子中核外电子的分布。 极化强度为单位体积的电矩。极化的大小不仅决定于粒子的感应电矩，而且决定于单位体积的粒子数。因此，凡αe/a3 较大的粒子对极化就有较大的贡献。有些离子，如O2-，C4+，B3+，S2-，Ti4+ 等的 αe/a3具有特别大的值。 自发极化 材料的电损耗 电场的变化很慢，可以按照与静电场类似的方法进行处理 电场的变化极快，以致缓慢极化完全来不及响应，因此也就没有这种极化发生 电场的变化与极化建立的时间可以相比拟，则极化对电场的响应强烈地受到极化建立过程的影响，产生比较复杂的介电现象，这时极化的时间函数与电场的时间函数不相一致。 电容电流：由样品的几何电容充电引起电流（位移电流）； 介质极化的建立引起电流：与极化松弛等有关（吸收电流）； 介质的电导（漏导）造成的电流：与自由电荷有关（剩余电流）。 概述 气体放电的汤逊理论(碰撞电离理论) 气体放电的流注理论 电击穿 热击穿 局部放电击穿 树枝化击穿 应用 输电电缆 故障限流器 变压器 THE END ①固体介质的击穿场强往往取决于材料的均匀性； ②大部分材料在交变电场下的击穿场强低于直流下的击穿场强。在高频下由于局部放电的加剧，使得击穿场强下降得更历害，并且材料的介电常数越大，击穿场强下降得越多； 总结： ③无机电介质在高频下的击穿往往具有热的特征，发生纯粹电击穿的情况并不多见； ④在室温附近，高分子电介质的击穿场强往往比陶瓷等无机材料要大，并且极性大高聚物的击穿场强常常要比非极性的大； ⑤在软化温度附近，热塑性高聚物的击穿场强急剧下降 热击穿 当固体电介质在电场作用下，由电导和介质损耗所产生的热量超过试样通过传导、对流和辐射所能散发的热量时，试样中的热平衡就被破坏，试样温度不断上升，最终造成介质永久性的热破坏，这就是热击穿。 热击穿除与所加电压的大小、类型、频率和介质的电导、损耗有关外，还与材料的热传导、热辐射以及试样的形状、散热情况、周围媒质温度等等一系列因素有关。 对于介质损耗较高的固体介质材料，在高频下的主要击穿形式是热击穿。 局部放电击穿 局部放电就是在电场作用下，在电介质局部区域中所发生的放电现象，这种放电没有在电极之间形成贯穿的通道。整个试样并没有被击穿。 对于固体电介质来说，电极与介质之间常常存在着一层环境媒质：气隙或油膜。就固体电介质本身来说，实际上也是不均匀的，往往存在着气泡、液珠或其它杂质和不均一的组分等。例如陶瓷就是一种多孔性的不均匀材料。由于气体和液体介电常数较小，因此承受的电场强度较高。而气体和液体的击穿场强又比较低，于是当外施电压达到一定数值时，在这些薄弱的区域，就发生局部放电。 局部放电是脉冲性的，放电结果产生大量的正、负离子，形成空间电荷，建立反电场，使气隙中的总电场下降，放电熄灭。这样的放电持续时间很短，约为 10-8~10-9 s。在直流电压作用时，放电熄灭后要到空间电荷通过表面泄漏，使反电场削弱到一定程度，才能开始第二次放电。因此在直流电压作用下，放电次数甚少。在交流电压作用时，情况就有所不同。由于电压的大小与方向是变动的，放电将反复出现。外施交变电压增大或频率提高，放电次数就增加。 工程介质，从材料本身来说，其本征击穿场强一般较高，但由于介质的不均匀性和各种因素的影响，实际击穿强度往往并不很高，有时甚至要降低一、二个数量级，其中重要原因之一就是局部放电。局部放电将导致介质的击穿和老化，因为局部放电除电的过程以外，还伴随着热、辐射、化学和应力作用等过程。这些过程的综合作用，就使介质击穿或老化变质。 树枝化击穿 树枝化是指在电场作用下，在固体电介质中形成的一种树枝状气化痕迹。树枝是指介质中直径以数微米的充满气体的微细管子组成的通道，如图。树枝化主要发生在高分子电介质中。引起高聚物树枝化的原因很多，可以由于局部放电而发生，也可能由于电场局部集中或在脉冲电压作用下而产生，树枝化也能在潮气和水分存在下缓慢发生，此外树枝化还可能因为环境的化学污染，材料中存在杂质和腐蚀性气体等而产生。高聚物树枝化后并没有被击穿，但树枝化是高聚物击穿的一个很主要的潜伏因素，经过一定过程以后，最终导致聚合物的击穿。 树枝化击穿 电—机械击穿 平板固体介质电容器加压后，两极板上即充上异性电荷，极间电场为E。两电极上异性电荷的相互作用，造成两电极间存在相互吸引。这个引力就使极间的介质受到挤压而发生变形。由于高聚物弹性模量小(比陶瓷材料等小两个数量级左右)，容易