模拟电子技术基础完整第一章汇编
1.5.2 晶闸管(晶体闸流管) 一、结构和等效模型 图 1.5.5 晶闸管的结构和符号 C C C 阳极 阴极 控制极 第四版童诗白 硅可控元件,由三个PN结构成的大功率半导体器件。 二、工作原理 图 1.5.6 1. 控制极不加电压,无论在阳极与阴极之间加正向或反向电压,晶闸管都不导通。 ——称为阻断 2. 控制极与阴极间加正向电压,阳极与阴极之间加正向电压,晶闸管导通。 P N P IG β1 β2IG β1IG 图 1.5.5 C N P N C C 第四版童诗白 C 结论: 晶闸管由阻断变为导通的条件是在阳极和阴极之间加正向电压时,再在控制极加一个正的触发脉冲; 晶闸管由导通变为阻断的条件是减小阳极电流 IA , 或改变A-C电压极性的方法实现。 晶闸管导通后,管压降很小,约为 0.6~1.2 V 左右。 第四版童诗白 三、晶闸管的伏安特性 1. 伏安特性 O UAC IA UBO A B C IH IG= 0 正向阻断特性:当 IG= 0 ,而阳极电压不超过一定值时,管子处于阻断状态。 UBO ——正向转折电压 正向导通特性:管子导通后,伏安特性与二极管的正向特性相似。 IH ——维持电流 当控制极电流 IG ? 0 时, 使晶闸管由阻断变为导通所需的阳极电压减小。 IG 增大 反向特性:与二极管的反向特性相似。 UBR 图 1.5.7晶闸管
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