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有机多层阱结构中光谱蓝移的研究
第 卷第 期 光 子 学 报
38 12
Vol.38No.12
年 月
2009 12 ACTAPHOTONICASINICA December2009
有机多层阱结构中光谱蓝移的研究
黄金昭,李世帅,冯秀鹏,于峰
(济南大学 理学院,济南 250022)
摘 要:为了研究有机多层阱结构中光谱蓝移的原因,制备了以 , [( ) ,
N N′Di 1nahthalenlN
p y
](, ) , ( )为垒层和以 ( )
N′dihenl11′bihenl44′diamine NPB Tris8uinolinolatoaluminum
p y p y q
( )为阱层的有机多层阱结构器件 利用光致发光的方法,对具有不同周期及不同阱层厚度的
Al .
q
3
有机多层阱结构器件进行研究.分析认为有机多层阱结构中的光谱蓝移是由于光谱重叠造成的,而
并非量子尺寸效应或激子限制效应.
关键词:有机多层阱结构;有机量子阱;蓝移;光致发光;激子
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN383+.2 A 1004421320091231004
0 引言 与材料中形成的是何种激子,以及激子的有效半径
与其所在的阱层的厚度的关系,另外和能带结构以
由于有机量子阱及超晶格结构能够提高发光器 及载流子的迁移率等有关 本文认为有机量子阱的
.
[ ]
15
件的性能,从而备受相关科研人员的关注 ,但对 存在需要一定的限制条件,对其要一分为二的看待.
其存在性以及发光峰蓝移现象的解释一直都是一个 本文以器件结构及材料为限定条件,对光激发
有争议的话题. 下有机多层阱结构器件中光谱的蓝移进行了研究.
年代初, 和 等人最早观察
90 FFSo SRForrest
1 实验
到了有机材料 / 构成的有机多层量
PTCDANTCDA
子阱结构( )吸收峰的蓝移现象,并通过计算
OMQWs
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