这一篇文章主要在讨论如何使用mpmc的微机电制程来制造射频微 .doc

Ω型射頻微機電開關之電性分析 摘要 微切換器主要功能為發射接收切換、頻段切換、模組切換及多工選擇，其傳輸的信號頻率約在0.1 至100 GHz 之間。目前主要是採用固態電子微切換器，包括場效電晶體(Field Effect Transistor)及PIN 二極體(Diode)二種型式。以材料而言主要為矽基及砷化鎵(GaAs)二種，目前砷化鎵的PIN 二極體式的微切換器由於具有較低插入損失(Insertion Loss)及切換速度快等優點，已逐漸成為主流。但由於無法整合且成本高，使得發展受限。 以MEMS 技術製作微切換器在結構上可分為串接金屬接觸式及並接電容式，依開關的驅動方式分成靜電力、電磁力及壓電致動，但以今日的科技而言，靜電力驅動的開關能提供更佳的可靠性，製造上也較為便利。一般而言微切換器優於PIN Diode 或FET 開關之特性如下： 能源損耗近於零：靜電性開關幾乎不消耗任何電流，故沒有功率損耗，每次開關所需的能量約為10~100 奈米焦耳 高隔離度：由空氣區隔(air gap)構成，偏移電容很低，導致在0.1~40GHz 的傳輸訊號下依然有極佳的絕離。 低插入損耗：無論是串接式或是並接式都有很低的傳輸損耗。 低Intermodulation products：機械式開關是極佳的線性裝置，因此它的Intermodulation Product 很低，其表現約比PIN Diode 或是FET要來的好30dB。 低成本：採用面型微加工技術，可以在現有的石英、Pyrex Glass、LTCC、High-resistivity Mechanical-grade Silicon 及GaAs、SiGe等基材上製造，以達到大量生產與降低成本的目標。 射頻微機電開關的設計 是以525(m厚的矽基板，作為射頻微機電開關的製程基板，鋁為共平面波導與橋薄膜的金屬材料，0.1 (m厚、相對介電係數為7.5的氮化矽 （Si3N4）材料作為開關的介電層，利用高頻電路軟體設計頻率0.1-40 GHz之間匹配50 (負載阻抗的共平面波導，以達最低的損耗，訊號線寬度（Width）為100 (m，訊號線與接地線間隙（Gap）為60 (m，其G/W/G尺寸 為60/100/60 (m。圖（一）為射頻微機電開關之立體圖。 圖（一） 立體結構圖 介電層材料、開關幾何和介電層到橋金屬薄膜的間距高度在設計射頻微機電開關是需要仔細考量。面積與間距高度同時影響臨界電壓與關狀態電容，對達到小的Coff目標，需小的面積，間距高度要大，對於要獲得小的Vp，需大的面積，小的間距高度，所以在選擇面積與間距高度是有衝突存在。為了達到低的臨界電壓與足夠高的電容開關比，選擇面積為100×100 (m2，間距高度為3 (m，作為射頻微機電開關設計的尺寸，臨界電壓值則依k值而定，k值愈小，面積大小影響電壓改變量愈小。 本文藉由電磁模擬之結果，尋求較佳的插入損耗及隔離特性，其微波開關的結構如圖（二）所示，其尺寸參數有L、W及H，針對三個參數不同的尺寸進行插入損耗及隔離特性之探討，其分析之尺寸表如表（一）所列。 μm) W (μm) H (μm) A1 10 10 10 A2 10 10 20 A3 10 10 30 A4 10 10 40 A5 10 10 50 B1 10 2 20 B2 10 4 20 B3 10 6 20 B4 10 8 20 B5 10 10 20 C1 4 10 20 C2 8 10 20 C3 10 10 20 C4 12 10 20 C5 16 10 20 圖（二） 結構圖 表（一） 尺寸參數之配置 射頻微機電開關之分析 開關關的狀態 開關在關狀態，插入損耗隨著頻率上升而增加，這是受到開關電容影響，當頻率提高時，開關之電容抗隨著頻率而下降，使得訊號受電容耦合的量就多，不過因為有3 μm的空氣間距，開關本身的電容值就小，大約數十個fF，對於信號的影響較小。圖（三）可以看出頻率在40 GHz時，插入損耗約在0.65 dB附近。雖然如此，但在尺寸的變化上是有些微的差距。對於這差距，須從影響插入損耗的開關電容來作說明，開關的電容主要有兩個部分，一個是可動平板所產生的電容，另一個則是連接臂所產生的寄生電容，由於可動平板的電容是固定的，故主要在於連接臂造成寄生電容量的影響。電容值與介電常數、面積成正相關，與距離成負相關，由於本文連接臂尺寸上設計，使得面積有所變動，插入損耗也跟著改變。 表（二）列出當頻率在40 GHz時的插入損耗與反射損耗。在A群組中，尺寸H參數從10 μm增加到50 μm，面積從14000 μm2變大到17200 μm2，在40GHz時的插入損耗從0.612 dB 增加到0.640 dB；在B群組中，尺寸W參數從2 μm變寬到10 μm，