模拟电路第一章课件.ppt

b e c e Rc Rb 二、晶体管的电流分配关系 IEp ICBO IE IC IB IEn IBn ICn IC = ICn + ICBO IE=ICn + IBn + IEp = IEn+ IEp IE =IC+IB 图1.3.4晶体管内部载流子的运动与外部电流 IB=IEp+ IBn－ICBO ~ IBn－ICBO ~ 第一章 半导体器件 三、晶体管的共射电流放大系数 整理可得： ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 1、共射直流电流放大系数 2、共射交流电流放大系数 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + 共发射极接法 第一章 半导体器件 3、共基直流电流放大系数 或 4、共基交流电流放大系数 　　直流参数 与交流参数 ?、 ? 的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说， 与? ， 与?的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。 5. ?与? 的关系　 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc 共基极接法 第一章 半导体器件 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 uCE = 0V uBE /V iB=f(uBE)? UCE=const (2) 当uCE≥1V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，在同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 一. 输入特性曲线 uCE = 0V uCE ? 1V uBE /V + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB + - uCE 第一章 半导体器件 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(uCE)? IB=const 二、输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压，集电结反偏。 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 第一章 半导体器件 三极管的参数分为三大类: 直流参数、交流参数、极限参数 一、直流参数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 1.3.4晶体管的主要参数 2.共基直流电流放大系数 3.集电极基极间反向饱和电流ICBO 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 第一章 半导体器件 二、交流参数 1.共发射极交流电流放大系数? ? =?iC/?iB?UCE=const 2. 共基极交流电流放大系数α α=?iC/?iE? UCB=const 3.特征频率 fT ?值下降到1的信号频率 第一章 半导体器件 1.最大集电极耗散功率PCM PCM= iCuCE 三、 极限参数 2.最大集电极电流ICM 3. 反向击穿电压 ? UCBO——发射极开路时的集电结反 　　　　　向击穿电压。 ? U EBO——集电极开路时发射结的反 　向击穿电压。 ? UCEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 UCBO＞UCEO＞UEBO 第一章 半导体器件 由PCM、 ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和过压区。 输出特性曲线上的过损耗区和过压区 PCM= iCuCE U (BR) CEO UCE/V 第一章 半导体器件 1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。 反之，当温度降低时ICBO减少。 硅管的ICBO比锗管的小得多。 二、温度对输入特性的影响 温度升高时正向特性左移，反之右移 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 温度对输入特性的影响 200 600 三、温度对输出特性的影响 温度升高将导致 IC 增大 iC uCE O iB 200 600 温度对输出特性的影响 第一章 半导体器件 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE