eu添加ganへのsi添加によるeuイオンの似数制御とx线吸收 - spring-8.pdf

http://support.spring8.or.jp/Report_JSR/PDF_JSR_27B/2015B1639.pdf 2015B1639 BL14B2 Eu 添加GaN へのSi 添加によるEu イオンの価数制御と X 線吸収微細構造測定による評価 Effects of Si Codoping on Eu-Doped GaN Studied by X-ray Absorption Fine Structure a a a a a 小泉 淳 , 布川 拓未 , 朱 婉新 , 稲葉 智宏 , 児島 貴徳 , b c c a 東 慎太郎 , 大渕 博宣 , 本間 徹生 , 藤原 康文 a a a a a Atsushi Koizumi , Takumi Nunokawa , Wanxin Zhu , Tomohiro Inaba , Takanori Kojima , b c c a Shintaro Higashi , Hironori Ofuchi , Tetsuo Honma , Yasufumi Fujiwara a 大阪大学, b株高純度化学研究所, c公財高輝度光科学研究センター a b c Osaka University, Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd., JASRI 低温成長Eu 添加GaNGaN:Euにおいて、Si 共添加によるEu イオンの価数変化をX 線吸収端近 傍構造XANES測定により調べた。Si 原料のモノメチルシランMMSi流量の増加とともに、 XANES スペクトルにおいて二価の Eu イオンを示すピーク強度の割合が増加した。この結果は、 Si 添加量により二価のEu イオンに制御できることを示唆しており、Eu イオンの価数による物性 制御が期待できる。 キーワード： 希土類添加半導体、窒化ガリウム、ユウロピウム、価数、XAFS 背景と研究目的 ： 希土類元素であるEu を添加したGaN は、これまで実現が困難であったGaN 系材料を用いた赤 色発光デバイスの作製を可能とし、同一材料による光の三原色発光が揃うことで、半導体微細加 工技術を活かしたモノリシック型高精細LED ディスプレイやLED 照明などへの応用が期待され る材料である。添加されている希土類元素に着目すると、希土類元素は、蛍光体や磁石など、4f 電子に基づく物性を利用した希土類蛍光体や希土類磁石に用いられている。そのため、希土類元 素を半導体へ添加することにより、半導体の電荷制御と希土類元素の持つ発光機能・磁気機能を 融合した新機能の発現が考えられる。その応用として、例えば希薄磁性半導体は、半導体の電気 的な性質と磁性材料の磁性を融合することで、超高速・超低消費電力デバイスを実現するための 極めて重要な技術である。これまでの磁性元素を添加した希薄磁性半導体では、磁性元素として 遷移元素であるマンガンやコバルトなどを添加し、磁性元素に局在したスピンと伝導電子が相互 作用することで強磁性が生じることを基本原理としている。一方、磁性元素に希土類元素を用い た研究では、これまでにGd イオンを添加したGaGdN において、室温にて強磁性が示されている [1]。一方で、Eu イオンの価数が二価の場合、三価の Gd イオンと同じ電子配置になることから、 磁性を持つようになる。これらの知見から、三価のGd と同じ電子