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脉冲太赫兹信号探测 和太赫兹辐射源一样，太赫兹探测也是太赫兹科技中的另一项关键技术，是太 赫兹技术投入到实际应用的另一关键环节。由于目前太赫兹辐射源的功率普遍都较 低，因此发展高灵敏度、高信噪比的太赫兹探测技术尤为重要。太赫兹的探测方法 比较多，不过依据太赫兹辐射的形式不同，可以将它们大致分为太赫兹脉冲辐射的 探测和太赫兹连续波信号的探测两类。另外，本章对太赫兹单光子的探测技术也做 了简要的介绍。 3.1 脉冲太赫兹信号探测 光电导取样和电光取样是两种应用最广的相干探测THz脉冲的方法。其中，电 光取样又可分为时分电光取样和波分电光取样两种。此外，对应第二章中的空气产 生太赫兹辐射的相关内容，本节会相应介绍一下利用空气探测太赫兹脉冲。 3.1.1 光电导取样 光电导取样是基于光导天线 （photoconductive antenna, PCA ）发射机理的逆 过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探 测，首先，需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中，以便于一个光学 门控脉冲（探测脉冲）对其门控。其中，这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间 延迟关系，而这个关系可利用一个延迟线来加以实现；尔后，用一束探测脉冲打到 光电导介质上，这时在介质中能够产生出电子-空穴对（自由载流子），而此时同步 到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场，以此来驱动那些载流子运动，从 而在PCA 中形成光电流。最后，用一个与PCA相连的电流表来探测这个电流即可， 如图3-1所示。其中，这个光电流与THz瞬时电场是成正比的。 图3-1 光电导偶极天线 探测脉冲（飞秒量级）的持续时间要远短于太赫兹脉冲（皮秒量级）的，所以 通过改变这两个脉冲之间的时间延迟，就可以“取样”出THz 的波形来，可参见图3- 2 。其中，这里所探测到的太赫兹信号只是入射太赫兹脉冲与PCA 响应函数的卷 积。在实际的光谱实验中，探测器和发射极的响应可以通过解卷积来求得，也可将 信号与参考脉冲正交化来求得。 最常用的光导天线是在低温生长的砷化镓（LT-GaAs ）上制作的，PCA探测器 的最大带宽约为2THz 。近年来，利用持续时间约为15飞秒的超快门控脉冲，可使 探测带宽达到40 THz 。现在这种方法普遍采用的低温生长的GaAs 、Si、半绝缘的 InP等作为工作介质。 图3-2 光电导取样过程 3.1.2 电光取样 电光取样技术具有极宽的频谱响应和很高的信噪比。此外由于其测量孔径大， 因而也可以用此项技术进行直接二维成像测量。其中，时分电光取样，即自由空间 电光取样是对太赫兹脉冲的时间波形进行取样测量的；而波分电光取样则是将太赫 兹脉冲的时域波形一次复制到被啁啾展宽的啁啾脉冲的各频率分量上，在通过对啁 啾脉冲的光谱测量得到太赫兹波形。 1. 时分电光取样 电光取样测量技术基于线性电光效应：当太赫兹脉冲通过电光晶体时，它会发 生瞬态双折射，从而影响探测（取样）脉冲在晶体中的传播。当探测脉冲和太赫兹 脉冲同时通过电光晶体时，太赫兹脉冲电场会导致晶体的折射率发生各向异性的改 变，致使探测脉冲的偏振态发生变化。调整探测脉冲和太赫兹脉冲之间的时间延 迟，检测探测光在晶体中发生的偏振变化就可以得到太赫兹脉冲电场的时域波形。 图3-3 电光采样原理 自由空间电光取样太赫兹探测，如图3-3所示。图中的激光器为飞秒激光器， 当它所发出的飞秒激光脉冲激光分束器之后，分为探测脉冲和泵浦脉冲。泵浦脉冲 是用来激发太赫兹发射极使其产生太赫兹脉冲，然后太赫兹脉冲又被离轴抛物面镜 准直聚焦后，经半透镜照射到电光晶体之上，电光晶体的折射率椭球将会被其改 变。当线偏振的探测脉冲在晶体内与太赫兹光束共线传播时，它的相位会被调制。 由于电光晶体的折射率会被太赫兹脉冲电场改变，所以探测光经过电光晶体时，其 偏振状态将会由线偏振转变为椭圆偏振，再经偏振分束镜（这里常用的是沃拉斯通 （Wollaston ）棱镜）分为s偏振和p偏振两束，而这两束光的光强差则正比于太赫兹 电场。使用差分探测器可以将这两束光的光强差转换为电流差，从而探测到太赫兹 电场随时间变化的时域光谱来。利用机械电动延迟线可以改变太赫兹脉冲和探测脉 冲的时间延迟，通过扫描这