第三章光生伏特器件2-1教程.ppt

3、硅光电池的输出功率 将式（3-18）代入式（3-17）得到负载所获得的功率为 PL=IL2RL （3-19） 显然，负载电阻RL所获得的功率PL与负载电阻的阻值有关，当RL=0（电路为短路）时，U=0，输出功率PL=0；当RL=∞（电路为开路）时，IL=0，输出功率PL=0； 0 ＜RL＜ ∞ 时，输出功率PL＞0。显然，存在着最佳负载电阻Ropt，在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率Pmax。 通过对式（3-19）求关于RL的1阶倒数，当RL=Ropt时，求得最佳负载电阻Ropt的阻值。 在实际工程计算中，常通过分析图3-11所示的输出特性曲线得到经验公式，即，当负载电阻为最佳负载电阻时，输出电压U=Um Um =(0.6~0.7)Uoc （3-20） 而此时的输出电流近似等于光电流，即 （3-21） 其中，S 为硅光电池的电流灵敏度。 i 硅光电池的最佳负载电阻Ropt为 从上式可以看出硅光电池的最佳负载电阻Ropt与入射辐射通量有关，它随入射辐射通量的增加而减小。 负载电阻所获得的最大功率为 Pm= Im Um=(0.6~0.7)UocIp (3-23) (3-22) 4、光电池的光电转换效率 光电池的输出功率与入射辐射通量之比定义为光电池的光电转换效率，记为η。当负载电阻为最佳负载电阻Ropt时，光电池输出最大功率Pm与入射辐射通量之比定义为光电池的最大光电转换效率，记为ηm。 显然，光电池的最大光电转换效率ηm为 式中是与材料有关的光谱光电转换效率，表明光电池的最大光电转换效率与入射光的波长及材料的性质有关。 （3-24） 5、硅蓝光电池 1）、光电池用作太阳能电池 把光能直接转化成电能，需要最大的输出功率和转化效率。即把受光面做得较大，或把多个光电池作串、并联组成电池组，与镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站等无输电线路地区的电源供给。 6、应用 光电池用作太阳能电池 在黑夜或光线微弱时，为防止蓄电池经过光电池放电而设置二极管D。 此电路可实现光电池的线性输出。对光电池而言，RL近似等于0。 与运算放大器相连，其等效负载电阻为0，因此运算放大器的输出电压等于光电池短路电流与放大器反馈电阻的乘积。 2）、光电池用作检测元件 利用其光敏面大，受光面很薄，频率响应高，光电流与照度线性变化，适用于开关和线性测量等。 光电三极管与普通半导体三极管一样有两种基本结构，NPN结构与PNP结构。用N型硅材料为衬底制作的 NPN结构，称为 3DU型；用P型硅材料为衬底制作的称为PNP结构，称为3CU型。图3-12所示为3DU型光电三极管的工作原理及其符号。 图 (a)所示NPN型光电三极管的原理结构图； 图(b)所示为光电三极管的电路符号。 光电三极管 c e b 高掺杂 低掺杂 1、工作原理 光电三极管的工作原理分为两个过程：一是光电转换；二是光电流放大。 集电极输出的电流为 (3-25) 光电三极管的电流灵敏度是光电二极管的β倍。相当于将光电二极管与三极管接成如图3-12(c)所示的电路形式，光电二极管的电流Ip被三极管放大β倍。 为提高光电三极管的增益，减小体积，常将光电二极管或光电三极管及三极管制作到一个硅片上构成集成光电器件。 如图3-13所示为三种形式的集成光电器件。图3-13 (a)所示为光电二极管与三极管集成而构成的集成光电器件，它比图3-12(c)所示的光电三极管具有更大的动态范围，因为光电二极管的反向偏置电压不受三极管集电结电压的控制。图3-13(b)所示的电路为图3-12(c)所示的光电三极管与三极管集成构成的集成光电器件，它具有更高的电流增益（灵敏度更高）。 2、光电三极管特性 1）伏安特性 图3-14所示为硅光电三极管在不同光照下的伏安特性曲线。光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。 光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。 U和I分别表示 Uce和Ic 2）时间响应（频率特性） 光电三极管的时间响应常与PN结的结构及偏置电路等参数有关。为分析光电三极管的时间响应，首先画出光电三极管输出电路的