fe 掺杂sno2 稀磁半导体超精细场的第一性原理计算.pdfVIP

第37 卷 第10 期 核 技 术 Vol.37, No.10 2014 年10 月 NUCLEAR TECHNIQUES October 2014 Fe 掺杂SnO 稀磁半导体超精细场的 2 第一性原理计算 张乔丽 袁大庆 范 平 左 翼 郑永男 马小强 梁珺成 朱升云 （中国原子能科学研究院 北京 102413 ） 摘要 采用基于密度泛函理论线性缀加平面波方法的WIEN2k 程序，计算Fe 掺杂 SnO2 稀磁半导体的电子结 构和磁性，计算中性电荷态Fe0 和电荷受主态Fe1−或Fe2−。结果表明，Fe 掺杂SnO2 的基态都是铁磁态，O 空 位更容易出现在Fe 原子周围。中性电荷态Fe0 磁矩较小，Fe1−或Fe2−态磁矩变大，并且计算的磁超精细场和磁 矩与穆斯堡尔谱测量结果相符合。电子结构分析表明，掺杂Fe-3d 轨道与氧八面体O-2p 轨道相互作用，造成 3d 轨道能级分裂。不同电荷态下，能级分裂的程度不同，从而影响电子填充3d 轨道的模式。3d 轨道中未成对 电子数增加，处于高自旋态的Fe 原子是产生巨磁矩的原因。 关键词 超精细相互作用，第一性原理，WIEN2k ，SnO2 ，稀磁半导体 中图分类号 O474 DOI: 10.11889/j.0253-3219.2014.hjs.37.100520 稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor)作 之间的竞争。而Coey[11]和Fitzgerald[9]等采用穆斯堡 为一种可能的自旋电子学(Spintronics)器件材料，在 尔谱方法研究了PLD 方法制备的 Fe 掺杂 SnO2 薄 信息科学方面具有巨大的应用前景。半导体材料可 膜，室温的穆斯堡尔谱结果表明 Fe 的超精细场为 [1−2] 。其中，SnO 具有优异的 51.6 T 。 以通过掺杂导致磁性 2 光学透明度和高化学稳定性，是一种广泛应用的宽 由于不同的制备方法及制备条件，不同实验室 禁带n-型半导体材料，通过掺杂过渡金属(Transition 的结果之间存在差异，甚至同一掺杂材料是否存在 Elements, TM)可以制备成稀磁半导体。2003 年， 铁磁性也存在争议。原则上说，样品制备过程工艺 Ogale 等[3] 采用脉冲激光沉积(Pulsed Laser 的差异，造成样品缺陷、磁畴、多晶、杂质相等差 Deposition, PLD)方法制备的过渡金属 Co 掺杂的 异，都会对结果产生影响。因此从理论上认识并解 SnO2 薄膜，其铁磁性能保持到650 K 高温，Co 离 释不同基体和掺杂的稀磁半导体磁性起源，澄清不 子的平均磁矩高达7.5μB±0.5/Co ，存在巨磁矩现象， 同实验结果的争议就成为了必然。 这是首次在稀磁半导体中发现巨磁矩现象。SnO2 基 稀磁半导体具有高铁磁转变温度的特性，引起了人 1 研究体系和计算方法 们的极大关注。随后，采用不同方法制备了过渡金 1.1 研究体系 属Fe 、Cr、V 、Ni 等掺杂 SnO2 薄膜，发现均具有 [4−8 ] [9] SnO2 是金红石结构，其原胞具有四方结构，晶 高温铁磁性 错误!未定义书签。。Fitzgerald 等 [11] 制备了 Sc 到Zn 十种