inp_gaas_inp_型量子阱的光致发光研究pdf.pdfVIP

第 37 卷　第 4 期 . 37　 . 4 ( ) V o l N o 厦门大学学报 自然科学版 　1998 年 7 月 ( ) . 1998　 Jou rnal of X iam en U n iversity N atu ral Science Jul 型量子阱的光致发光研究① InP GaA s InP 陈松岩　刘宝林　陈龙海　黄美纯　陈　朝 ( 厦门大学物理学系　厦门　361005) 摘要　报道了用金属有机化合物化学气相沉积技术生长 量子阱结构, 通过线 InP GaA s InP 性形变势理论计算表明该结构为 型量子阱结构. 低温光致发光测量结果与理论计算结果相符合. 关键词　 型量子阱结构, 线性形变势理论, 低温光致发光 中国图书分类号　 482. 7, 471. 5 O O 近年来随着金属有机化合物化学气相沉积技术( ) 和分子束外延技术 ( ) 的 M OCVD M BE 发展, 量子效应的半导体材料和器件的研究引起人们的关注. 这是因为当材料厚度小于电子的 德布洛意波长时便产生量子尺寸效应, 从而改变了该结构的能带结构, 它赋予该结构许多新的 性质. 本文讨论了 结构的 生长条件, 并用线性形变势理论计算了该 InP GaA s InP M OCVD 结构的能级分布, 在此基础上利用低温光致发光实验对此进行了验证, 结果表明, InP GaA s InP 为 型量子阱结构. 1　 量子阱结构的生长 GaA s InP 用金属有机气相外延技术生长 量子阱结构. 生长条件: 生长温度为 600 ℃, 反 GaA s InP 应源为 、 、 3 和 3 , 反应室的压力控制在 76 ×133. 3 . 开始在衬底上生长 2 TM In TM Ga PH A sH Pa m 的 InP 缓冲层, 随后生长一层薄的GaA s 层, 最后生长约 25. 0 nm 的 InP 盖层. 生长的两个 样品结构相同, GaA s 层的厚度分别为 2. 0 nm 和 2. 7 nm. 根据M atthew s 的力平衡模型, 假设 失配位错在两个异质界面形成, 则可以计算出临界厚度为 3. 0 nm , 我们的样品中 GaA s 层厚 度均在临界厚度之下, 可以认为在界面处没有发生晶格驰豫. 2　线性形变势理论计算 由于在薄层内存在着应变, 将引起价带和导带边的能量移动, 对于很小的应变, 带边的移 动可以通过线性形变势理论计算获得. 本文工作就是这种情况. 对于价带的应变H a