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分布反馈激光器电吸收调制器单片集成器件
第 20 卷第 5 期 半 导 体 学 报 . 20, . 5
V o l N o
1999 年 5 月 , 1999
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay
2. 5 1. 55 分布反馈
Gb s m InGaA sP InP
激光器电吸收调制器单片集成器件
罗 毅 孙长征 文国鹏
(集成光电子学国家重点联合实验室 清华大学电子工程系 北京 100084)
李同宁 杨新民 吴又生 王任凡 王彩玲 黄 涛 金锦炎
(武汉电信器件公司 武汉 430074)
摘要 本文在已经报道的采用直接集成方法制作的 155 部份增益耦合
m InGaA sP InP
D FB 激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上, 进一步对器件的性能进行了改进, 并
采用标准 14 脚蝶型管壳对集成器件进行了封装. 封装后的发射模块阈值电流约为 20～
30 , 边模抑制比大于 40 , 耦合输出光功率大于 2 , 在 3 的反向调制电压下消光比约
mA dB mW V
为 17 . 我们还在 2 5 波分复用系统上对集成器件进行了传输实验. 经过 240 普通单
dB Gb s km
- 10
模光纤传输后, 在误码率为 10 的情况下功率代价小于0 5dB.
: 4320 , 0510
EEACC J D
1 引言
随着现代光纤通讯向长距离、大容量、高速率方向发展, 对数字光纤系统的光源提出了
更高的要求. 激光器与外调制器单片集成器件由于其频率啁啾小、耦合效率高、制作成本低
等优点而成为未来高速光纤通讯系统的理想光源. 目前, 25 分布反馈( ) 半导体激
Gb s D FB
光器电吸收(EA ) 调制器集成器件已逐渐成为干线光纤通讯系统的主要光源.
在 激光器 调制器集成器件的制作中的一个关键是实现激光器激射波长与调
D FB EA
制器带隙的匹配. 目前已报道的多种工艺方法, 如分别外延、区域选择性外延、量子阱局部无
序化等, 这些方法往往工艺步骤比较复杂、工艺条件比较苛刻, 因而成品率较低. 我们于 1994 年
( ) ( )
本研究得到了国家“863 ”高技术计划 8633070406 , 国家自然科学基金杰出青年基金 , 自然科学基金
( )
重大基金的资助
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