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專題報告 AZO透明導電膜之製備與特性分析 指導教授：田春林教授 班級：電機三乙 學生：黃致浩 學號：D9975029 日期： 2013/6/16 壹、前言： 近年來，由於透明導電膜的需求量愈來於多，因此研究人員積極 的開發透明導電膜之材料，然而發現了 AZO 薄膜的光電性質可與ITO 薄膜比擬，並且擁有更好的優點，可以 來彌補 ITO 薄膜在材料上短缺 的問題， 不須太依賴ITO 薄膜，讓AZO 薄膜成為其代替品。 報告的第一部分是對於透明導電膜的基本簡介開始介紹，其包含 了發展史、透明導電膜基本特性與種類；第二部分則舉出對於 AZO 薄 膜的製備方法與過程；第三部分去了解其未來發展與應用。 貳 、透明導電膜簡介： 一、透明導電膜的特性： 對可見光(波長在 380nm-760nm)範圍內具有 80%以上的透光度， -3 且電阻率在10 Ω．㎝以下的薄膜才能稱為透明導電膜，而透明導電 膜會反射紅外光 (大於60%)具有高導電性，由於薄膜為電的良導體， 20 -3 因此帶有高濃度 (約10 cm 的自由載子，這樣的物質在不同電波頻) 率範圍內會有光選擇性，因此可反射紅外光並吸收紫外光而使可見光 穿透。 二、透明導電膜的發展史： 金屬氧化物透明導電膜(TCO:Transparent and Conductive Oxide)最早發現於 1907 年由Bakdeker利用濺射法製被氧化鎘 (CdO) 開始，從此人們對於透明導電膜產生了濃厚的興趣，因為從物理學角 度看，透明導電膜把物質的透明性和導電性矛盾的問題統合起來。一 開始只以研究為主，直到 1940 年才發現透明導電膜在商業發展的潛 力，而到了 1950 年前後出現了硬度高、化學穩定的二氧化錫(SnO2 ) 基和綜合光電性能優良的三氧化二銦(In2O3)基薄膜，並製備出最早應 用價值的透明導電膜二氧化錫 (SnO2 )薄膜。後來在80 年代開始專注 於ZnO 基薄膜的研究，而近二十年由於半導體業蓬勃發展，透明導電 膜的應用更為廣泛。 三、透明導電膜的種類： 透明導電膜的種類有很多，如：金屬膜係、TCO 、其他化合物膜 係、高分子膜係、複合膜係等，而透明導電膜電極主要分為兩種，一 種是金屬薄膜，另一種則是佔有主導地位，且光電產品最常用的透明 導電氧化物(TCO) 。 1.金屬薄膜: 金屬本身就是很好的導體，但是並不透光，若把金屬製作成很薄 的薄膜 (約100Å以下)，薄膜可以成透明性，可是當金屬膜厚度在10nm 以下容易形成不連續的島狀膜，而導致電阻率上升，導電率就會相對 的下降，並且會散色入射光而降低透光度，雖然現在已經能克服不連 續島狀膜的方法，但是所得之透明導電膜其導電率仍受表面效應及雜 質影響，因此製成金屬薄膜之透明導電膜是不容易的。 2.金屬氧化物之導電膜: 其具有離子性、能隙大且在化學上亦為較穩定，也有高透光性和 適當的導電性，因此在光電產品中被廣泛的應用。近年來，透明導電 膜的材料趨向於金屬氧化物半導體，例如 :InO 、ZnO 、SnO 等，但是 2 3 2 純半導體的導電性皆不盡理想，因此摻入了一些雜質來增加其導電性， 如 ITO :ITO(InO ：Sn) 、AZO(ZnO ：Al) 、SnO ：F 等。 2 3 2 n-type 摻雜雜質的方式有兩種，一種為摻雜比原化合物的陽離 子多一價的金屬離子(陽離子摻雜，如在氧化銦中摻雜錫的 ITO膜 ) 或摻雜帶負電之離子 (陰離子摻雜，如在氧化錫中通入氟的FTO膜 ) ， 而另一種則是製造氧化狀態不完全之半導體化合物，即使半導體內產 生陰離子空缺。此兩種方法都能有效提高導電度，但在選擇摻質時需 注意摻雜離子的半徑要小於且接近原化合物之金屬離子半徑，且不與 原化合物產生次化合物為原則。 目前主要是 ITO透明導電膜最常被使用，缺點是銦是為鋅礦極鉛 礦的副產物，所以產量較少而導致市場上的價格逐漸升高，因此有許 多科學家積極研發