第九章 薄膜工艺.ppt

第九章 薄膜工艺 ULSI硅片上的多层金属化 薄膜的定义 所谓薄膜，是指一种在衬底上生长的薄固体物质，其在某一维尺寸上远远小于另外两维上的尺寸。 膜的形成过程 沉积工艺的分类 薄膜沉积主要分为物理沉积（PVD, physical vapor deposition ）和化学沉积（CVD, chemical vapor deposition） PVD可分为两种技术：?? (a)蒸镀（Evaporation）?? (b)溅射（Sputtering） 物理沉积的示意 蒸镀 通过把被蒸镀物质(如铝)加热，利用被蒸镀物质在高温下(接近物质的熔点)的饱和蒸气压，来进行薄膜沉积。 这个过程是在压力为10－7到10－4 mbar（10－4 Pa）的真空室内进行的。在这个压力范围内，粒子的平均自由程超过了真空室的内部尺寸。 平均自由程：?＝kT/21/2?Pd2 一个原子平均自由通过的距离，也就是没有与其他原子的碰撞。 装置结构 主要蒸发源 直接受热电阻源 电子束蒸发源 感应受热源 各种热源的优缺点 Resistive evaporation – Uses resistive heating to evaporate a metallic filament – Drawbacks ? Limited to low melting point metals ? Small filament size limits deposit thickness Electron-beam evaporation – Uses a stream of high energy electrons (5-30 keV) to evaporate source material – Can evaporate any material – Electron-beam guns with power up to 1200 kw – Drawbacks ? At 10kv incident electrons can produce x-rays ? Redeposition of metal droplets blown of source by vapor 铝线工艺简介 电位移（electromigration） Mean time to failure: 蒸镀工艺的优缺点 Advantages – Films can be deposited at high rates (e.g., 0.5 mm/min) – Low energy atoms (~0.1 ev) leave little surface damage – Little residual gas and impurity incorporation due to high vacuum conditions – No substrate heating Limitations – Accurately controlled alloy compounds are difficult to achieve – No in situ substrate cleaning – Poor step coverage – Variation of deposit thickness for large/multiple substrates – X-ray damage 溅射工艺 是利用等离子体中的离子，对被溅镀物质电极进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物质的粒子，这些粒子沉积到硅表面形成薄膜 。 溅射在中低真空中进行~10 mtorr，100Pa 直流溅射系统与步骤 射频(RF)溅射系统 等离子体由RF场而非DC场产生（13.56MHz) 磁控溅射 在这种方法中，磁场是叠加在电场上的，这样电子在场中的运动线路便不是直线而是以螺旋线的形式向正极运动的，从而增加了碰撞电离的机会，离子密度增大。 溅射的优缺点 ? Advantages – Can use large area targets for uniform thickness over large substrates – Easy film thickness control via time – Ease of alloy deposition – Substrate surface can be sputter cleaned (etched) – Step coverage – Sufficient material for many d