蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长.pdfVIP

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vo1．28 No．6 Dec ． 2OO7 蓝宝石衬底上AIGaN外延材料的低压MOCVD生长 赵 红 ，邹泽亚k ，赵文伯 ，杨晓波 ， 刘 挺 ，廖秀英 ，王 振 ，周 勇 ，刘万清 (1．重庆光电技术研究所，重庆400060；2．电子科技大学 电子薄膜-ff集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 摘 要： 采用低温AlN成核层在1 180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压 MOCVD设 备生长了A1GaN外延层。Al组分高达0。6、厚度大于1 m的A1GaN外延层表面光亮，晶体质量 较好，(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×10。Pa降到 2×10。Pa后，AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。 关键词： MOCVD；AlGaN；低温核化层 中图分类号：TN304．054； 文献标识码：A 文章编号：1001—5868(2007)06—0800--04 Growth of AIGaN Epilayers on Sapphire by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition ZHAO Hong ，ZOU Ze—ya ，ZHAO Wen_bo ，YANG Xiao_bo ， LIU Ting ，LIAO Xiu—ying ，WANG Zhen ，ZHOU Yong ，LIU Wan—qing (1．Chongqing Optoelectronics Research Institute，Chongqing 400060，CHN；2．State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices，University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu 610054，CHN) Abstract： A1GaN epilayers were grown on sapphire(000 1)by low pressure metal organic chemical vapour deposition at substrate temperature of 1 180℃ without GaN buffer layer。 utilizing low temperature A1N nucleation layer．Specular surfaces were obtained on the epilayers with A1 composition up to 0．6，thichness greater than 1 um，and X—ray diffraction rocking curve FWHM of(0002)reflection around 853 arcsec。The reduction of growth pressure from 50 mbar to 20 mbar induces remarkable increases of both growth rate and Al composition in the solid． Key words： MOCVD；AlGaN；low temperature nucleation layer 1 引言 的外延生长一般都是采用GaN材料作为缓冲层。 尽管GaN与蓝宝石衬底(0001)之间晶格常数相差 AlGaN材料是一类重要的具有直接禁带的宽 高达17 ，目前采用低温成核层技术口 ]，可以很 带隙氮化物半导体光电子材料，其带隙对应