数字逻辑基础-章节 05.pptVIP

第5章 半导体存储器 ;5.1 半导体存储器的分类 ;RAM: 随机读写存储器（Random Access Memory） 数据可以随时存入(写)或取出(读)。断电数据会丢失。 ROM: 只读存储器（Read Only Memory） 存放固定数据，事先写入，工作中可随时读取。断电数据不会丢失 MROM：掩模只读存储器 （Masked ROM） 制造时固化数据，工作中只读，得不改写，适用于大批量产品。 OTP：一次性可编程只读存储器（One Time Programmble ROM） 使用前，用户一次性写入数据，不得改写。适用于小批量产品。 EPROM：紫外线可擦除可编程只读存储器（Erasable PROM） 数据写入后，可用紫外线照射擦除 。擦除后可重写。 E2PROM：电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable PROM） 数据写入后，可施加电信号将数据擦除，并写入新数据 ，可反复擦 写上百次，适用于开发阶段或小批量产品的生产。可在线读写??? FLASH E2PROM：闪烁存储器。 具有E2PROM的擦写特点，擦除速度快得多，擦写次数达上千次。 ;5.2 随机读写存储器RAM ; 存储器：由大量的存储单元按阵列方式排列形成。 ;读写控制电路，见右图。 I/O：数据输入/输出端 。 ：器件选择信号。 若 ，G1、G2、G3呈高阻态，读写操作被禁止 ； 若 ，G1、G2、G3开通，读写操作可进行，此时： 若 ，G3开通，数据D 从 I/O 输出； 若 ，G1、G2开通，数据由I/O 送到D、 端 。; 集成 SRAM 6116 介绍： D7~D0： 数据输入/输出端，以字节为单位进行读写。 A10~A0：11位地址输入端，存储容量为2048字节（2KB）。 ：片选端。为0，允许读写。为1：备用（此时功耗极微，且数据 不会丢失）。 ：读脉冲端。为0：读当前地址对应的数据。为1：D7~D0端呈高 阻态。 ：写脉冲端。先将待写入的8位数据送到D7~D0端，再令其为0， 数据即被写入到当前地址对应的存储单元。;5.2.2 DRAM;（3）刷新: 刷新：由于漏电，应周期性地给Cs补充电荷，使存储的数据不丢失。 刷新操作：执行一次读操作，但并不使用读得的数据。 存储单元为阵列排列时，以行为单位进行刷新，周期约为几毫秒;5.4 可编程只读存储器 ;5.4.2 紫外线可擦除可编程只读存储器EPROM ;5.4.3 电可擦除可编程只读存储器E2PROM ;5.4.5 只读存储器应用举例 ;字形显示方式： 将各种字形对应的段码写入2716，需要显示某字形时，就输入对应 的地址，让该地址对应的存储内容输出。 段码表制作： 例如： 字符“A”，将01010作为地址，在此地址对应的存储字节处写入段码： ，见下图。 字符“A.” 将11010作为地址，在此地址对应的存储字节处写入段码： ，见下图。;例：用EPROM 2716 实现按作息时间控制打铃 。