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第7章半导体存储器 2
（2）一次性可编程ROM（PR;二．ROM的结构及工作原理RO;ROM的基本工作原理：由地址译;11输出缓冲VCCA1A0D1;11输出缓冲VCCA1A0D1;或阵列与阵列11≥1≥;D3Y3Y2Y1Y0W0A0A;7.4.2 可编程ROM（ ;编程前的PROM存储矩阵字线位;编程后的PROM地 址A1;7.4.3 可擦除可编程RO;EPROM封装出厂时，浮栅均无;用户编程（写0）：漏极和源极（;EEPROM只需在高电压脉冲或;结构：浮栅与漏极N区延长区有一;PSGD浮 栅图7-4-8 快;7.4.4 用ROM实现组合;用ROM实现逻辑函数一般按以下;存储器与PROM阵列对应关系输;1、代码转换例：用ROM实现4;012345678910111;2、用ROM实现组合逻辑函数例;AB0001111001AB0;【解】 （1）写出各函数的标准;（2）选用16×4位ROM，画;例：试用适当容量的PROM实现;根据表可写出输出逻辑函数的最小;（2）把A1A0和B1B0作为;3.作函数运算表电路【例】试用;0 0 ;Y7=m12+m13+m14+;讼话晋蟹系睁艰摄湃鞘咕勘阮吃勋;4、用ROM实现字符发生器常用;ROM矩阵64X7X5字符控制;图7-4-10 2716外;数据输出+25V00编程检验高;EPROM举例——2764想抽;本章小节2．RAM是一种时序逻
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