KrF化学增幅光刻胶在90nm逻辑工艺上的性能评价与优化的工艺条件.pdfVIP

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2017-07-08 发布于未知
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KrF化学增幅光刻胶在90nm逻辑工艺上的性能评价与优化的工艺条件.pdf

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张卫教授伍强博士张擎雪博士目录摘要……………………………………………………．．1 第一章引言………………………………………………．5 1．1集成电路的发展………………………………………………………………5 1．2光刻技术的进步是集成电路工艺发展的驱动力…………………………．5 1．3本文研究的意义……………………………………………………………．．6 第二章光刻工艺评价指标与优化…………………………………8 2．1光刻基本原理………………………………………………………………．8 2．1．1光刻的本质……………………………………………………………8 2．1．2光刻工艺的步骤………………………………………………………8 2．1．3深紫外光刻工艺………………………………………………………．9 2．2光刻工艺评价的主要指标…………………………………………………．9 2．2．1分辨率…………………………………………………………………．9 O 2．2．2焦深……………………………………………………………………………．．1 2．2．3能量容裕………………………………………………………………10 2．2．4掩膜版误差因子……………………………………………………．．11 2．2．5光刻胶线端缩短效应………………………………………………．．12 2．3光刻工艺的优化……………………………………………………………12 2．3．1光刻胶光酸扩散……………………………………………………。13 2．3．2光刻照明条件………………………………………………………．．14 6 2．3．3光学邻近效应修正…………………………………………………．．1 第三章KrF化学增幅光刻胶光酸扩散特性的研究……………………18 3．1工艺条件……………………………………………………………………。18 3．2实验结果及分析……………………………………………………………18 3．2．1掩膜版误差因子……………………………………………………。18 3．2．2光酸扩散长度………………………………………………………。19 3．2．3光酸扩散长度随不同线宽空间周期变化特性……………………．．20 3．3本章小结……………………………………………………………………23 第四章KrF化学增幅光刻胶在90nm工艺时线端缩短效应的研究………．．24 4．1工艺条件……………………………………………………………………24 4．2实验结果及分析……………………………………………………………24 4．2．1基本实验………………………………………………………………24 4．2．2不同PEB温度设定对比实验………………………………………．．25 4．2．3不同NA设定对比实验……………………………………………．．26 4．3本章小结……………………………………………………………………．27 第五章KrF化学增幅光刻胶在90nm逻辑工艺时优化的工艺条件………．．28 5。l工艺条件……………………………………………………………………28 5．2栅层…………………………………………………………………………．28 5．2．1工艺窗口………………………………………………………………28 5．2．2掩膜版误差因子……………………………………………………．．30 工 5．2．3光学邻近效应……………………………………………