铕掺杂ZnO纳米线.ppt

Surface Eu-Treated ZnO Nanowires with Efficient Red Emission 电科1103班 邓雨 目录 ZnO的结构与性质 稀土元素Eu3+ 铕掺杂ZnO NWs 掺杂前后元件的光学特性 5 2 3 4 1 光致发光测量 ZnO的结构和性质 岩盐矿结构 氧化锌晶体有三种结构：六边纤锌矿结构、立方闪锌矿结构、岩盐矿结构。 ZnO是一种典型的sp3杂化共价键结构，但由于Zn原子和O原子的离子性都很强，使ZnO也具有部分离子晶体的特征，是一种介于共价晶体和离子晶体之间的半导体材料． 纤锌矿结构ZnO 纤锌矿结构ZnO为直接带隙，室温下其禁带宽度为3．37eV，是典型的宽禁带半导体材料。相比其他的半导体材料，ZnO有着许多优异的性质，如良好的温度和化学稳定性，能带易于裁剪，无生物毒性等。其中一个突出特点是其激子束缚能高达60 meV，远高于室温热激发所提供的能量(26meV)，这使得ZnO材料在室温下有较低的激射阙值和较高的激发发射效率，因而在太阳能电池、紫外光探测器、蓝紫光发光二极管和激光器等光电器件领域有着广泛的应用前景。 人们对Eu3+离子的发光已有较多的研究，Eu3+离子激活的发射属于?D?-?Fj 能级之间的辐射跃迁，这些辐射跃迁的相对强度受基质环境的影响，当Eu3+在晶体晶格中处于有严格反演中心位置时，辐射跃迁选择定则为AJ=0，±l，此时的发光以?D?-?F?的磁偶极跃迁为主，产生橙色光；当Eu3+离子不处于反演中心时，则辐射跃迁遵守AJ=0，±2，辐射跃迁以?D?-?F?的电偶极跃迁为主，产生红色光。 铕(Europium ) 原子序数：63?? 外围电子层排布：4f76s2 核外电子排布： 2,8,18,25,8,2 常见化合价： +2,+3 氧化铕是彩色电视显像管和三基色荧光灯管用红色荧光粉的原料。 稀土掺杂ZnO的制备： 1.水热法：利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶的的物质溶解，或反应生成该物质的溶解产物，通过控制高压釜内溶液的温差使产生对流以形成过饱和状态而析出生长晶体的方法. 2.脉冲激光沉积: 使用脉冲激光束聚焦到靶材表面，使靶材蒸发沉积在基体上成膜。 3.离子注入技术：把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方法。在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在所选择的区域形成一个具有特殊性质的表面层（注入层）。 除上述方法外，还有溅射法、化学气相沉积法、溶胶．凝胶法和分子束外延法等。 λ=hc/（Eg-△Ei。） 　　 光致发光：物体依赖外界光源进行照射，从而获得能量，产生激发导至发光的现象。大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段，光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁，都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。 光致发光测量：用一定能量的光子激发半导体材料，由其产生的特征发光谱线来分析半导体材料性能的一种光学半导体材料测量方法。 1.纯净的半导体材料，发光的波长λ由半导体材料的禁带宽度所决定： λ=hc/Eg 2.实际上所有半导体材料都有意或无意地含有杂质和缺陷，使它们在禁带中形成局部能级Ei，它与带边有一个间隔△Ei，称为杂质的激活能。这时的发光波长： 光致发光测量 　　 半导体材料中不同的杂质所处的能态不同，引起发光的复合形式也各不相同，主要有如图1所示的6种形式。 图2 光致发光光谱测量装置示意图 　　 光致发光谱的测量可用荧光分光光度计来完成，该仪器由激发光源、样品池、单色器以及检测器等主要部件构成，其工作原理如下图所示。 X射线衍射谱分析(XRD) x射线源发射的x射线入射到样品上后，产生衍射现象，X射线探测器接收到衍射的x射线光子，测量分析后得到衍射峰位和衍射强度等信息。根据Bragg定律，入射x射线的波长λ(一般采用Cu Kα线，λ=1．5404 ?)，半衍射角口和晶面间距d之问的关系为： 式中k为衍射级数，这是发生衍射时必须满足的条件。由式可知，当X射线波长一定时，半衍射角θ和晶面问距d之间是一一对应的，通过衍射峰位很容易计算得到样品的晶面间距．结合各衍射峰的强度可以得到样品的种类、晶向和结晶程度等相关结构信息。 2dsinθ = kλ X射线衍射谱分析(XRD) (a) FESEM image of the annealed ZnO NWs. (b) High-resolution TEM of the Eu-treated ZnO NWs. （a）退火后的纯氧化锌奈米线垂直垂直生长在基板上，长度为300-400纳米。 （b）电镜图像显示出ZnO清晰有序的晶格，晶面间隔为0.28nm。而外表面是经过铕处理