第1章常用半导体器件汇编.ppt

三、极限参数 1.最大集电极电流ICM 当β下降到线性放大区β值的2/3时所对应的IC值。 当集电极电流增加时，β就要下降。 当IC超过ICM时，晶体管的放大能力下降，但不一定损坏。 2.极间反向击穿电压U(BR) 晶体管的某一电极开路时, 另外的两个电极所允许加的最高反向电压。 U(BR)CBO—发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CEO—基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO—集电极开路时E、B极间反向击穿电压。 其关系为：U(BR)CBO＞U(BR)CEO＞U(BR)EBO U(BR)CEO＞VCC 3.最大集电极耗散功率PCM PCM= iCuCE 对于确定型号的晶体管，PCM是一个定值。 当PCPCM时，BJT的实际结温小于允许的结温，不会损坏晶体管。 【问题引导】 晶体管的安全工作区是由哪些参数共同确定？ 在输出特性曲线上可以确定四个区：过损耗区、过电流区、击穿区和安全工作区。 将iC与iCE 乘积等于规定的PCM值各点连接起来，可得一条双曲线。 要让三极管安全可靠地工作，不能越过极限参数组成的防火墙！ 已知:ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V，则 UCE = 10 V 时，IC 应 mA UCE = 1 V时， IC应 mA IC =