第1章半导体中的电子状态汇编.ppt

* 赝晶（共格）生长 用分子束外（MBE）延法，在Si上外延生 长Si1-xGex合金薄膜，当外延层厚度在适当的范 围时，晶格的失配可通过Si1-xGex合金层的应变 补偿或调节，则得到无界面失配的Si1-xGex合金 薄膜。 * 无应变的体Si1-xGex合金 的禁带宽度（4.2K） * 应变Si1-xGex合金的禁带宽度 改变 Ge 组分 x 和应变的大小，则可调整 应变Si1-xGex合金的禁带宽度。 * 应变和无应变的Si1-xGex 的Eg与Ge 组分的关系 0 20 40 60 80 100 Ge 组分 x (%) 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 禁带宽度 (eV) 2 3 应变的 无应变 轻空穴带 重空穴带 SiGe/Si应变 层超晶格材料 新一代通信 * 5. 宽禁带半导体材料（Eg?2.3）的能带 SiC、金刚石、II族氧化物、 II族硫化物、 II族硒化物、III氮化物及其合金 ?高频、高功率、高温、抗辐射和高密度 集成的电子器件 ?蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探 测器件 * SiC的晶格结构和能带 同质多象变体（同质多型体）： 在不同的物理化学环境下，形成两种或两 种以上的晶体，这些成分相同，形态、构造和 物理性质有差异的晶体称为 ~ 。 SiC的多象变体约 200 多种。 * 结