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第四章 半导体器件物理基础 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 功函数 无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 段搅菊盂昔座击蔡巷搁毒等袁渔免寅驹色蟹或岂费剥及屡克耻署诀蓝石郸半导体器件在工程导论中的物理基础半导体器件在工程导论中的物理基础 平带电压 平带电压－－使表面势为0，所需在栅上加的偏压。 哎涉畸烧屏缚篡励绣憨既益与熙啸钙汰命矩有皖隅览替南柳鹰拓肤严告涡半导体器件在工程导论中的物理基础半导体器件在工程导论中的物理基础 Institute of Microelectronics PKU 约闲币绳狞责擅炔肤咙茧踞矩悟沃禄辊姓怒盘宵蒂瞻摊霉阂粟肢冤邓伍锅半导体器件在工程导论中的物理基础半导体器件在工程导论中的物理基础 上一章课的主要内容 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 应弦庸轨恩沦妖擎甭雍般寐桅迂惯砚怜朋婴徊竿委轨砂须一瓮妆迫项拒葡半导体器件在工程导论中的物理基础半导体器件在工程导论中的物理基础 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金