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采用ALD方法制备TiO2Al2O3布拉格反射镜并配合金属反射镜来增强背镀结构的反射效率.pdf
第36卷第4期 电子器件 V01.36No.4
Chinese】o哪alofEIectmIlDevices
2013年8月 Aug.2013
Mirror
Renector丽tha MetalⅡc
RenectanceofBacbide Hybrid
High
4
aIld DBR
ALD-Ti02/A1203
cHEN Ho吣,ZHANG
Ho他萄uR,GUo X访ng‘,CUlY谗诚g
210018,(冼讹)
(A抽Ⅱ硎肭on泌ce,l‘er,鼬捌矿E胁ro,l如&曲Mn以E吲M咖,s0眦危Ⅻt踟矗m酊,舵耐,Ig
reflectors distributed atomic
backside combiningTi02/A1203 Braggrenector(DBR)by
Abstract:Highrenectivity
mi玎orhavebeendemonstratedfor也efirst and
metallic
layerd叩osition(ALD)wim
and haVee】【llibited aboVe
stacksw汕excellent thickness high-enectiVities
multi·pair-DBRs/Ag unifo咖ity accuracy
DBRhas adhesionwithboth substrateandA1minDr,we the
96%.Besides,Ti02/A1203 good sapphire simplified
fabricationandachievedmorestabilizedbackside ALD wit}l
process renector.BycombiningdepositionTi02/A1203
stabilizedandexcellentfilm backsiderenectoris
DBR,highrenectivity,lessangledependency,more unifo珊ity
achievedtomeetthe of diodes(LEDs).
requirementshi曲bri曲tnessli曲t—emitting
words:backside renector(DBR);metallicmirmr;atomic
Key renector;dist曲utedBragg
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