采用TCOs滤波器的硅电池热光伏系统的性能研究.pdfVIP

第30卷第1期 太阳能学报 V01．30．No．1 2009年1月 ACIAENERGIAESOLARISSDⅥCA Jan．，2009 采用TCOs滤波器的硅电池 热光伏系统的性能研究 茆 磊，叶 宏 (中国科学技术大学热科学和能源工程系，合肥230027) 摘要：建立了以硅电池为转换器的热光伏(TPV)系统的能董流动模型和透明导电氧化物(，l℃0s)滤波器的理论模 型；分析了载流子浓度和薄膜厚度等参数对光谱效率的影响，并得到对应于不同辐射器温度下的最佳载流子浓度 和薄膜厚度；最后讨论了采用1℃0s滤波器对7删系统性能的影响得出以下结论：以SiC为灰体辐射器，适用于1600 340nm。辐射器温度为1800K时，采用了1℃0s滤波器的1PV系统的输出电功率密度为o．41W／cm2，光谱效率和TPV 效率分别为37．1％和7．9％；相较于未采用rrC0s滤波器的Ⅱw系统，输出电功率密度有一定程度减小，而光谱效率 和TPv效率却大幅提升。 关键词：透明导电氧化物；热光伏；载流子浓度；薄膜厚度 中图分类号：TM914 文献标识码：A 透过性能和反射性能两个参数以综合评价TCOs滤 U 刖 吾 波器的性能；并计算了Si、GaSb以及Ge3种电池分 在热光伏(TPV—Thermophotovoltaic)系统中，Pv电 别与№q陶瓷辐射器所构建的TPV所需TCOs滤 池将热辐射能转换为电能。PV电池的能带隙制约 波器的最彳丰载流子浓度和薄膜厚度。值得注意的 了可转换辐射能的份额，因而能带隙的高低直接决 是，上述模型中都未考虑衬底(通常为石英玻璃)的 定了TPv系统的性能。目前对TPV电池的研究主 作用。在高温状态下，衬底对辐射光子的传输会产 要集中在能带隙较低的多元Ⅲ．V族复合PV电池。 生一定影响，要建立更合理的TCOs滤波器理论模 传统的硅电池能带隙为1．2eV，远高于理想转换器的 0的研究 型，必须综合考虑衬底的作用。另外，Viol 要求，彳日由于硅电池生产技术成熟，且价格植对较 只针对滤波器单个部件，其评价标准不是以系统光 低，所以对以硅电池为转换器的TPV系统的研究仍 谱效率这一重要参数为依据的，也未能体现辐射器 占有较莺要的地位。 温度的影响。建立考虑衬底作用的TCOs滤波器模 由于硅电池能带隙很高，可转换辐射能只占总 型，并结合TPv系统的能量体系，以光谱效率为评价 辐射能的很小一部分，因此辐射光谱的控制对以硅 准则，重新确定最优化的TCOs滤波器参数的工作非 电池为转换器的ⅡⅣ系统尤为重要。常用的光谱控 常必要。 制方法有采用选择性辐射器和滤波器两种。文献中 作者建立了以硅电池为转换器的Ⅱ)v系统的能 报道的与硅电池相配的选择性辐射器材料多为掺杂 量流动模型和TCOs滤波器的理论模型；以光谱效率 镱的氧化物陶瓷；而滤波器可由多种不同的光学器 为评价标准，研究了载流子浓度及薄膜厚度的影响， 件实现。CouttsT∥等采用Drude模型模拟了透明 并计算了对应于不同辐射器温度的最佳载流子浓度 导电氧化物(以下简称TCOs)薄膜的电学和光学性 及薄膜厚度。最后比较了采用与未采用TCOs滤波 能，与