不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管-发光学报.PDF

第34卷摇 第10期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾10 2013年10月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Oct. ,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)10鄄1392鄄08 不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管 1,3 1,2 1,3 1 1,2 * 1* 林广庆 ,李摇 鹏 ,熊贤风 , 吕国强 ,王晓鸿 ,邱龙臻 (1. 特种显示技术教育部重点实验室,特种显示技术国家工程实验室,现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地, 合肥工业大学 光电技术研究院,安徽 合肥摇 230009; 2. 合肥工业大学 化工学院,安徽 合肥摇 230009;摇 3. 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院,安徽 合肥摇 230009) 摘要:分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/ 氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚 (PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。 原子力 显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化。 在PVP上沉积的并 五苯晶粒尺寸都小于150 nm,经过聚苯乙烯/ 氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的并五苯晶粒 尺寸则分别在200~400 nm和400~600 nm。 大尺寸的晶粒能够减小器件沟道内的陷阱浓度,从而有效地提 高电学性能。 PVP绝缘层采用聚苯乙烯/ 氯硅烷和HMDS修饰后,与未修饰的器件相比迁移率分别提高了58 -9 倍和82倍。 采用HMDS作为表面修饰层制备柔性OTFT,并五苯场效应晶体管的关态电流约为10 A,电流 4 2 -1 -1 的开关比超过10 ,最大场效应迁移率约可达0.338 cm ·V ·s . 关摇 键摇 词:并五苯;聚乙烯基苯酚(PVP);聚苯乙烯(PS);偏压应力;柔性有机薄膜晶体管 + 中图分类号:TN321 .5摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1392 Preparation of High鄄performance Flexible Organic Thin鄄film Transistor Through Different Dielectric Surface Modification 1,3 1,2 1,3 LIN Guang鄄qing ,LI Peng ,XIONG Xian鄄feng , 1 1,2* 1* LYU Guo鄄qiang ,WANG Xiao鄄hong ,QIU Long鄄zhen (1. Key Laboratory of Special Display Technology,Ministry of Education,National Engineering Laboratory of Special Disp