一维阵列犕牦犕4犎牦犻犆紫外光电探测器的研制.PDF

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ３ 犞狅犾．２９ 犖狅．３ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ３ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犕犪狉．２００８ 一维阵列犕犛犕４犎犛犻犆紫外光电探测器的研制 ，， １ １ １ １ １ １２ 杨伟锋 蔡加法 张 峰 刘著光 吕 英 吴正云 　 　 　 　 　 　 　 （ 厦门大学物理系，厦门 ） １ ３６１００５ 　 （ 厦门大学萨本栋微机电中心，厦门 ） ２ ３６１００５ 　 摘要：采用 ／ 作为肖特基接触制备了一维阵列 紫外光电探测器，并测量和分析了阵列器件的 、光谱 犖犻犃狌 犕犛犕４犎犛犻犆 犐犞 响应特性 结果表明，阵列探测器性能均匀性好，击穿电压均高于 阵列中单器件暗电流小，在偏压为 的时候，最 ． １００犞． ２０犞 ２ 大暗电流均小于 （电流密度为 ／ ），光电流比暗电流高 个数量级以上 其光谱响应表明，单器件在电压为 ５犃 ５狀犃 犮犿 ３ ． ２０犞 狆 时的响应度约为 ／ ，比 时的比值均大 倍，说明探测器具有良好的紫外可见比 ００９犃 犠 ４００狀犿 ５０００ ． 关键词： ；金属 半导体 金属；一维阵列；响应度 ４犎犛犻犆   ： ； ； 犈犈犃犆犆 ２５３０犇 ２５２０犕 ２５６０犎 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犗４３４２ 犃 ０２５３４１７７２００８０３０５７００４ 　　　 　　　 １ 引言 ２ 实验 　 　 犛犻犆半导体材料因其具有禁带宽度大、击穿电场强 实验样品结构是在 型