mld 结构快恢复二极管trr2t 特性的理论分析3 - journal of .pdfVIP

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第卷第期半导体学报年月结构快恢复二极管特性的理论分析潘飞蹊陈星弼电子科技大学微电子与固体电子学学院成都摘要对少数载流子寿命横向非均匀分布结构的快恢复二极管进行了理论研究首先利用二极管型基区内部少数载流子在横向上的分布形态给出了结构提高快恢复二极管的反恢时间温度稳定性的一个定性解释然后利用平均寿命对二极管的特性进行了讨论模拟结果证明了理论分析的正确性关键词反恢时间温度稳定性平均寿命中图分类号文献标识码文章编号寿命控制区垂直于结面对于这种新结构的快恢引言复二极管的特性我们报道过相关研究结果其中最为显

第 26 卷  第 1 期 半  导  体  学  报 Vol. 26  No. 1 2005 年 1 月    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS   Jan. ,2005 MLD 结构快恢复二极管 trr T 特性的理论分析

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