太赫兹单光子探测.PDF

太赫兹单光子探测 将一个尺寸相对较大的半导体量子点（QD ）置于强磁场之中，使它通过隧道 结与电子库(electron reservoirs)发生弱耦合（见图3-15a和图3-15b ）。在这个强磁场 中，最低的朗道能级LL1会被充满（具有两个方向相反的自旋极化），而第一朗道 激发能级LL2 只是被少量的电子所占据。当处于费米能级时，LL1和LL2能形成两 层可压缩的金属区域，它们分别对应于QD 的“外环”和“内核” （见图3-15a ），并且在 它们之间有一层不可压缩的绝缘带将它们隔离开来，而它们之间的遂穿概率也主要 是由这层绝缘带决定。当外环的电化学势μ 与电子库势能相等时，电子就会在电子 1 库和外环之间发生遂穿效应，由此可导致外环的电导共振（conductance resonance ）。尽管内核与电子遂穿没有直接的关系，但是由于其本身所带的电荷会 以静电耦合的方式耦合到外环，所以它对电子的遂穿有很强烈的影响。 当一个THz光子以回旋共振的方式被量子点吸收后（见图3-15b ），在高空能级 LL2 （低满能级LL1 ）会产生一个电子（空穴），与此同时它会迅速得把多余的能量 释放给晶格，下降（上升）到内核（外环）。则此时内核带一个负电荷-e （电子电 荷），由此外环的电化学势降低了：-Δμ ＝-eC /(C C +C C +C C ) ，其中C ，C 表 1 2 2 1 12 1 2 12 i ij 示上文所说的两区域之间的电容（见图3-15a ）。而此内部极化会导致电导共振峰值 的位置移动-ΔV ∝-∆μ （见图3-15d ）。另外由于遂穿效应的影响，内核上的受激电 g 1 子的寿命会极长，由此使探测到THz光子成为了现实。这种方法的时间分辨率可达 4 毫秒（ms ）量级，其灵敏度也比现有的探测技术高10 之多。 图3-15 强磁场中的THz单光子量子点（QD ）晶体管探测器 见图3-15，（a ）为量子点示意图。灰色区域代表金属内核和最低的两个朗道能 级（LLs ）所形成的金属外环区域。（b ）量子点中朗道能级的能谱图。当量子点吸 收一个THz光子，在它内部会产生一个电子－空穴对。受激电子（空穴）会迅速降 至（升至）QD 的内核（外环），从而使QD发生极化。（c ）QD 的扫描电子显微照片 2 （700 ×700nm ）。这个QD是由受横向限制的2DEG和加有负向偏置的金属栅极所 2 -1 - 组成的，并且在它之中含有350个电子。2DEG 的迁移率和密度分别为μ≈80m V S 1 ，n ≈2.4 ×1015m-2 。金属栅极和金属引线长有100μm，它们相当于一个偶极天 s 线，将THz耦合到QD之中。磁场可由超导螺线管提供，并且要求磁场方向垂至于 QD所处的平面。（d ）库伦电导与控制栅极电压V （触发电压）函数关系图。当单 g 电子晶体管工作时，并且外环的化学势μ 随着电子库势能呈线性增加时，会发生电 1 导共振现象。当QD 中的电子－空穴对受激后，电导峰值图（实线）会发生改变 （虚线），由此可导致QD极化。