太阳光电模组封装与检测技术之探讨.DOC

太陽光電模組封裝與檢測技術之探討 A study on Characterization and Encapsulation Techniques of Photovoltaic Modules班級：四車輛二乙 姓名：嚴閔瀚 學號： 　　這次實驗主要是建立實驗室在太陽能晶片檢測技術方面的研究能量，以評估 不同熱壓封裝製程參數的優缺點，並建立使用真空熱壓機進行太陽光電模組封裝 的基本步驟，作為小型量產太陽能晶片封裝之需。實驗方面，我們使用高溫恆濕 機來測試封裝的效果，並探討不同封裝參數（溫度、時間）對太陽光電模組內耗 電阻之影響。 實驗中，1 ~ 3 組表示封裝實驗一（155℃/6 分鐘）之樣品；4 ~ 6 組則屬於封裝實驗二（155℃/30 分鐘）；7 ~ 9 組屬於實驗三（140℃/30 分鐘）；除了第三組樣品的內耗電阻顯示增加外(此現象明顯與封裝過程有關)，其餘八組的電阻變化皆不大「如圖4.19 所示」。也就是說，若在封裝過程沒有對晶片造成額外傷害的話，三種封裝製程對保護晶片的效果以實驗二、三的製程參數較好，若再從穩定性來看，實驗二的樣品穩定度較好。圖4.19 高溫恆濕實驗內耗電阻之變化情形熱循環實驗 實驗中，1 ~ 3 組表示封裝實驗一之樣品（155℃/6 分鐘）；4 ~ 6 組則屬於封裝實驗二（155℃/30 分鐘）；7 ~ 9 組屬於實驗三（140℃/30 分鐘）；很明顯的，可以發現封裝實驗二之樣品在熱循環實驗後內耗電阻的變化比實驗一、三組來的穩定「如圖4.20 所示」，由此可以判斷實驗二的製程參數較能提供完整的保護。4.20 熱循環實驗內耗電阻之變化情形 效能測試與分析 焊接 實驗測得封裝前各樣品的內耗電阻皆小於2Ω，其平均值為0.898Ω。雖然此值並不高，但是為太陽電池平均最大功率電阻Rp=4.276Ω的21.1% (Rp=Vpmax/Ipmax)。 是故，未來應進一步改善焊接步驟參數如溫度、時間等以降低其所引起之電阻值。 另外，此量測值將作為後續實驗值比對之用。固化溫度 在高濕熱實驗後「如表4.1 所示」，封裝實驗一之樣品電阻變化較大，這可能 是因為EVA 固化時間不足所致，此論點可由固化時間皆為30 分鐘的實驗二和三具有類似的結果來佐証。另實驗二有最高固化溫度且其電阻變化量最小，封裝後平均電阻僅稍為增加一些。雖然實驗三的電阻值最小，但其變化方式較不尋常，可能是固化溫度未超過140℃，導致EVA 未完全固化，而經過長時間實驗後，致使EVA 產生其他變化造成，至於真正的原因，還需要再研究。 表4.1 電阻值之變化情形預熱時間 由文獻得知，EVA 在100℃~140℃會呈現軟化並具可塑性，在超過140℃後 會硬化並緊密結合預接合物。我們設定了三個參數，分別為在100℃時，持續等溫3、6、15 分鐘，以及 155℃，持續等溫6、30 分鐘，並在最後將固化溫度設定為140℃，用以實驗在 未達固化溫度時EVA 的黏著程度。 在實驗A 中，因100℃持續時間不夠長，封裝完成的晶片EVA 膜厚度較厚， 且表面形成明顯的中高外低的凸面鏡形狀。B 中，因100℃持續時間太長，封裝完成的晶片PC 膜有位移的現象， 研判可能軟化時間太長造成EVA 變形造成PC 膜移位。 　　在實驗C、D、E 中，封裝完成的結構外觀正常，將在高溫恆濕試驗及熱循 環實驗中對這三個參數封裝完成的晶片做進一步的試驗。 實驗A：將太陽能光電板加熱至100℃，持續3 分鐘後，再升溫到155℃，持續6 分鐘後，再啟動機台冷卻系統做冷卻。「如圖4.21 所示」 圖4.21（100℃持續3 分鐘，155℃持續6 分鐘）溫度變化圖實驗B：將太陽能光電板加熱至100℃，持續15 分鐘後，再升溫到155℃，持續6 分鐘後，再啟動機台冷卻系統做冷卻。「如圖4.22 所示」 圖4.22（100℃持續15 分鐘，155℃持續6 分鐘）溫度變化圖實驗C：將太陽能光電板加熱至100℃，持續6 分鐘後，再升溫到155℃，持續6 分鐘後，再啟動機台冷卻系統做冷卻。「如圖4.23 所示」 圖4.23（100℃持續6 分鐘，155℃持續6 分鐘）溫度變化圖實驗D：將太陽能光電板加熱至100℃，持續6 分鐘後，再升溫到155℃，持續30 分鐘後，再啟動機台冷卻系統做冷卻。「如圖4.24 所示」圖4.24（100℃持續6 分鐘，155℃持續30 分鐘）溫度變化圖實驗E：將太陽能光電板加熱至100℃，持續6 分鐘後，再升溫到140℃，持續30 分鐘後，再啟動機台冷卻系統做冷卻。「如圖4.25 所示」