存储数据也需要存储器.DOC

存储器是单片机系统的主要部分，运行的程序需要存储器，处理数据需要存储器，存储数据也需要存储器。没有存储器，系统无法工作。一个单片机最小系统，就必须包括程序存储器和数据存储器。 4.1.1 ?半导体存储器 半导体存储器种类很多，首先从存、取功能上可以分为只读存储器（Read-Only Memory,简称ROM）、即存储器（Random Access Meemory，简称RAM）、可编程ROM（Programmable Read-Only Memory,简称PROM）、可擦除的可编程ROM（electrically Programmable Read-Only Memory，简称EPROM）、flash MEMORY、FRAM几种不同类型。 1．ROM） 只读存储器在正常工作状态下只能从中读数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。ROM的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。它的缺点是只使用于存储那些固定数据的场合。 2．ROM （PROM） PROM中的数据可以由用户根据自己的需要写入，但一经写入以后就不能再修改了。 3．ROM （EPROM） EPROM里的数据则不但可以由拥护根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，所以具有更大的使用灵活性。 4．ROM（EEPROM） EEPROM的典型优点是非挥发性、可字节擦除、编程速度快（一般小于10ms）。对 EEPROM 编程无需将EEPROM 从系统中移出，从而使存储和刷新数据（或编程）非常方便、有效、可行。EEPROM还使得通过无线电或导线进行远距离编程成为可能，消除了 EEPROM的紫外光擦除窗口，封装成本低，而且测试简单。 EEPROM的种类很多，大致可分为串行、并行、加密型三种。串行EEPROM 的优点是管脚少、使用方便。加密型EEPROM 的步骤比较复杂，可以对写入的数据进行加密，避免越权存取。表4-1，给出了各种EEPROM的比较。 表格 ?STYLEREF 1 \s 4 SEQ 表格 \* ARABIC \s 1 1? 各种EEPROM的比较 ? 优点 缺点 串行 管脚少，应用方便 结构复杂，难以做到高集成 并行 速度快，可做到高密度 管脚多,使用不方便 加密型 有保密功能结构复杂 成本高 5．RAM） 根据所采用的存储单元工作原理的不同，随机存储器又可分为静态存储器（Static Random Access Memory,简称SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）。由于动态存储器存储单元的结构非常简单，所以它所能达到的集成度远高于静态存储器。但是动态存储器的存取速度不如静态存储器快。 6．flash memory flash memory1987年提出来的，是EEROM走向成熟和半导体技术发展到1μm技术以下以及对大容量电可擦/存储器需求的产物。flash memory的优点是存储容量大，可以整片擦除。 目前市场上的flash从结构上大体可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种。其中NOR和DiNOR的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高，而NAND和AND的特点为容量大、回写速度快、芯片面积小。现在，NOR和NAND FLASH的应用最为广泛，在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards、MMC存储卡以及USB闪盘存储器市场都占用较大的份额。 NOR的特点是可在芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应该程序可以直接在flash内存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，但写入和探险速度较低。而NAND结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同步如下： NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的擦除速度远比NOR快。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。 NAND闪存中每个块的最大擦写次数量否万次，而NOR的擦写次数是十万次。 此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂得多。NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码。而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND Flash都有支持，如风河（拥有VxWorks系统）、微软（拥有WinCE系统）等公司都采用了TrueFFS驱动，此外，Linux内核也提供了对NAND Flash的支持 或非（NOR）结构的Flash具有高速的随机存取功能，但成本较高；新的UltraNAND结构的Flash相对于NOR结构的Flash，具有价格低，容量特别大的优势，支持对存储器高速地连续存取。谝芯片工作电压范围在2.7～3.