中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响.pdf

V01．28 第28卷增刊 半导体学报 Supplement 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCTORS Sep．，2007 中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响* 孟祥提’ 康爱国 黄 强 (清华大学核能与新能源技术研究院，北京 100084) 摘要：对一种彩色互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究，利用图像 分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范围等参数；与7射线辐照很 不相同，中子辐照器件的暗输出图像上出现许多大而密的斑点和条纹，图像上有很多白点和白点串；经过长时间室 温退火后的图像质量没有明显改善．文章初步探讨了CMOS图像传感器的辐照损伤机理． 关键词：彩色CMOS图像传感器；中子辐照；7射线辐照；输出特性；辐照损伤 PACC：6180；7800 中图分类号：TN306 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)SO．0583．05 1 引言 阵列面积为4．86mm×3．64mm，其为内部集彩色滤 互补金属氧化物半导体(cMos)图像传感器是光阵列、时钟、自动曝光和白平衡控制、A／D转换 一种新型器件，它将光敏二极管阵列和图像处理控 器、寄存器、信号处理等为一体的单芯片系统(SOC) 制部分，如微处理器和存储器等都集成在同一 类光电传感器件，单电源5VDC，正常工作时功耗 CMOS硅衬底上．当光学图像聚焦在图像传感器芯小于120mW． 片上时，通过芯片上的光敏元对光像进行光电转换， 中子辐照实验在清华大学核能与新能源技术研 输出光生电子流，经数字化处理后被读出．与电荷耦 究院的游泳池式轻水反应堆上进行，辐照温度为 合器件(CCD)相比，CMOS摄像器件集成度高，简 30℃．辐照注量分别为1．3×10”，3．2×0”和1．0× 化了A／D转换器，数字信号输出方便，光电转换效 10“cm～．7射线辐照实验在清华大学核能与新能 率高，暗电流小，图像质量好，体积小，质量轻，功耗 源技术研究院的C0607射线源上进行，剂量率为 低，易批量生产，并具有优良的性能价格比，具有广 11．5Gy／min． 泛的应用和市场前景． 采用1／3英寸的镜头，用计算机捕获了样品在 CMOS图像传感器可以作为卫星高速相机的辐照前后的暗输出图像和自然光下的输出图像．采 关键部件．它也可以作为相机，用于其他核辐射环 用自编的图像分析软件，利用计算机对捕获的暗输 境．空间辐射环境中充斥着高能粒子，包括一些中 出图像进行平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范 子．粒子的辐照效应会影响半导体光电器件的性能， 围等性能参数变化的分析[1]．对其暗输出图像中每 甚至会导致器件失效，因此，研究CMOS图像传感个像素的红、绿、蓝三色信号分别进行提取，也对辐 器粒子的辐照效应及抗辐射加固十分必要．我们已 照后经过室温退火后的样品的暗输出图像进行了性 经研究了CMOS图像传感器的7射线和电子的辐 能参数变化的分析． 照效应‘1，2]． 本工作进行了CMOS图像传感器的中子辐照3 结果 效应的研究，通过与7射线辐照结果的比较，探讨了 该器件中子辐照的特点和辐照损伤机理． 图1和2分别给出在不同中子注量辐照后 CMOS数字图像传感器自然光下的捕获图像和暗 2 实验 输出图像的变化．为了比较，图2也给